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突发!台积电EUV光刻被迫停机!

来源:深科技 据台媒报道,因为明年上半年需求订单萎缩,明年一季度台积电的收入将遭遇10~15%的环比下滑。 消息人士估计,台积电3nm到45nm的整体产能利用率在三季度是100%满载,四季度将 ...
2022年12月13日 08:59   |  
台积电   EUV   光刻机  

传显示驱动IC封测报价下降3-5%

来源:集微网 据业内消息人士透露,由于显示驱动IC(DDI)需求转弱,南茂、颀邦等中国台湾DDI封装/测试服务商已将报价下调3-5%。 据台媒《电子时报》报道,消息人士称,对电视、液晶显示 ...
2022年12月13日 08:57   |  
显示驱动   IC封测  
CEVA最新传感器中枢DSP助力联咏科技新型多传感器IP摄像头SoC

CEVA最新传感器中枢DSP助力联咏科技新型多传感器IP摄像头SoC

CEVA宣布已授权予联咏科技(Novatek Microelelctonics Corp),让其在瞄准监控、零售、智能城市、交通等领域的最新一代NT98530多传感器IP摄像头SoC中部署使用CEVA SensPro2 Sensor Hub DSP架构 ...
2022年12月12日 18:19   |  
CEVA   SensPro2   SP500   DSP   联咏  
全景软件与英飞凌合作,软硬结合提升物联网数据信息安全

全景软件与英飞凌合作,软硬结合提升物联网数据信息安全

5G建设与各种自动化与智能化的需求,推动着物联网应用在各领域的部署飞速发展。然而,随着网络节点的增多,意味着会有更多潜在的安全隐患。为此,英飞凌科技股份有限公司(FSE:IFX / OTCQX:IF ...
2022年12月12日 18:05   |  
IoT安全   信息安全  
英飞凌优化DC-DC设计,满足新一代数据中心的性能与能耗需求

英飞凌优化DC-DC设计,满足新一代数据中心的性能与能耗需求

可提供优质体验、创造全新商业模式的AI、5G、物联网等新技术,近几年的落地速度不断加快。上述新技术背后都需要有性能强大的数据中心提供支持,不过伴随着强大算力与传输功能而来的便是高能耗。 ...
2022年12月12日 18:02   |  
英飞凌   DC-DC   数据中心  

易联众零信任安全网关助力政企单位数字化转型升级

伴随数字化转型升级,全球网络安全形势发生深刻变化,带来前所未有的机遇和挑战。面对瞬息万变的安全威胁,传统安全理念、技术和产品日益捉襟见肘,各政企单位渴望一种既能保护单位总体边界安 ...
2022年12月12日 17:53
美光助力 Xiaomi 13 首批搭载 LPDDR5X 内存,打造下一代智能手机新体验

美光助力 Xiaomi 13 首批搭载 LPDDR5X 内存,打造下一代智能手机新体验

美光最先进的移动内存产品已为小米最新款旗舰智能手机量产出货 Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,纳斯达克股票代码:MU)今日宣布其 LPDDR5X 移动内存正持续受到市场青 ...
2022年12月12日 17:51   |  
LPDDR5X   移动内存  

力科解答宽禁带功率半导体测试探头难题!

以碳化硅与氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料,它们具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好等优点。第三代半导体材料可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频 ...
2022年12月12日 17:44

力科解答宽禁带功率半导体测试探头难题!

以碳化硅与氮化镓为代表的第三代宽禁带半导体材料,它们具有禁带宽度大、电子漂移饱和速度高、介电常数小、导电性能好等优点。第三代半导体材料可以满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频 ...
2022年12月12日 17:25

以“双CS”模式务实发展,安锐信息市场占有率稳步跃升!

报告指出,加快实施创新驱动发展战略。为发挥创新原力,新基建、产业互联网,正是千行百业发展数字经济所需的底层基石。在此过程中,不应只是注意到数字化转型这一“动作”,更应该注重数字化组 ...
2022年12月12日 17:17   |  
数字化   物联网  

iQOO11 国内安卓首发背景音过滤,人声更突显,通话更隐私

12月8日,iQOO召开年度新品发布会。正式发布iQOO11、iQOO11 Pro以及iQOO Neo7 SE。作为“未来电竞旗舰”的iQOO11系列凭借第二代骁龙8及自研芯片V2,实现性能与功耗表现的双跃升。同时搭载全新Or ...
2022年12月12日 16:42

复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件

来源:复旦大学微电子学院 当前MOSFET器件的持续微缩所带来的功耗问题已经成为制约集成电路发展的主要瓶颈。研发新原理器件以突破MOSFET亚阈值摆幅(SS)为60mV/dec的室温极限,是实现高速度 ...
2022年12月12日 15:56   |  
晶体管  

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