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输出特性可分为三个区
★截止区：发射结和集电结均为反向偏置。IE0，IC0，UCEEC，管子失去放大能力。如果把三极管当作一个开关，这个状态相当于断开状态。
★饱和区：发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区IC不受IB的控制，管子失去放大作用，UCE0，IC=EC／RC，把三极管当作一个开关，这时开关处于闭合状态。
★放大区：发射结正偏，集电结反偏。
放大区的特点是：
◆IC受IB的控制，与UCE的大小几乎无关。因此三极管是一个受电流IB控制的电流源。
◆特性曲线平坦部分之间的间隔大小，反映基极电流IB对集电极电流IC控制能力的大小，间隔越大表示管子电流放大系数b越大。
◆伏安特性最低的那条线为IB=0，表示基极开路，IC很小，此时的IC就是穿透电流ICEO。
◆在放大区电流电压关系为：UCE=EC-ICRC, IC=βIB
◆在放大区管子可等效为一个可变直流电阻。
极间反向电流：是少数载流子漂移运动的结果。
集电极－基极反向饱和电流ICBO ：是集电结的反向电流。
集电极－发射极反向饱和电流ICEO ：它是穿透电流。
ICEO与CBO的关系：
特征频率 ：由于晶体管中PN结结电容的存在，晶体管的交流电流放大系数会随工作频率的升高而下降，当 的数值下降到1时的信号频率称为特征频率 。
极限参数
★最大集电极耗散功率 如图所示。
★最大集电极电流 :使b下降到正常值的１／２～２／３时的集电极电流称之为集电极最大允许电流。
★极间反向击穿电压：晶体管的某一电极开路时，另外两个电极间所允许加的最高反向电压即为极间反向击穿电压，超过此值的管子会发生击穿现象。温度升高时，击穿电压要下降。
是发射极开路时集电极-基极间的反向击穿电压，这是集电结所允许加的最高反向电压。
是基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压，此时集电结承受的反向电压。
是集电极开路时发射极-基极间的反向击穿电压，这是发射结所允许加的最高反向电压。
温度对 的影响： 是集电结加反向电压时平衡少子的漂移运动形成的，当温度升高时，热运动加剧，更多的价电子有足够的能量挣脱共价键的束缚，从而使少子的浓度明显增大， 增大。
温度每升高10 时， 增加约一倍。硅管的 比锗管的小得多，硅管比锗管受温度的影响要小。
温度对输入特性的影响：温度升高，正向特性将左移。
温度对输出特性的影响：温度升高时 增大。
光电三极管：依据光照的强度来控制集电极电流的大小。
暗电流ICEO：光照时的集电极电流称为暗电流ICEO，它比光电二极管的暗电流约大两倍；温度每升高25 ，ICEO上升约10倍。
光电流：有光照时的集电极电流为光电流。当 足够大时， 决定于入射光照度。 |
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发表于 2011-8-15 10:31:58
