MOSFET 晶体管：IPTG025N15NM6（IQE220N15NM5CGSC）IQE220N15NM5SC

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深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
【供应，回收】MOSFET 晶体管：IPTG025N15NM6（IQE220N15NM5CGSC）IQE220N15NM5SC。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

一、IPTG025N15NM6：150V，OptiMOS™ 6 功率 MOSFET晶体管，PG-HSOG-8
型号：IPTG025N15NM6
封装：PG-HSOG-8
类型：OptiMOS™ 6 功率 MOSFET晶体管
IPTG025N15NM6 - 产品规格：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
Vds-漏源极击穿电压：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Ta），264A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，15V
Rds On-漏源导通电阻：2.4 毫欧
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 275µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：137 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9800 pF @ 75 V
Pd-功率耗散：3.8W（Ta），395W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：PG-HSOG-8

二、IQE220N15NM5CGSC：150V，44 A，22mOhm，OptiMOS™ 5 低压功率 MOSFET 晶体管
型号：IQE220N15NM5CGSC
封装：PG-WHTFN-9
类型：Source-Down 系列 - OptiMOS™ 5 低压功率 MOSFET 晶体管
IQE220N15NM5CGSC - 产品规格：
系列：OptiMOS™
技术：MOSFET（金属氧化物）
配置：2 个 N 通道（半桥）
漏源电压（Vdss）：150V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：44 A
Rds On-漏源导通电阻：22mOhm
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：14.4 nC @ 10 V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：PG-WHTFN-9

三、IQE220N15NM5SC：150V，22mOhm，OptiMOS™ 5 低压功率 MOSFET 晶体管，PG-WHSON-8
型号：IQE220N15NM5SC
封装：PG-WHSON-8
类型：OptiMOS™ 5 低压功率 MOSFET 晶体管
IQE220N15NM5SC - 产品规格：
技术：MOSFET（金属氧化物）
安装风格：SMD/SMT       
封装 / 箱体：PG-WHTFN-9
配置：2 个 N 通道（半桥）
漏源电压（Vdss）：150V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：44A（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
Rds On-漏源导通电阻：22mOhm
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：14.4 nC @ 10 V
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）