CoolMOS™ P7 功率晶体管 IPD70R600P7S / HMC8038LP4CETR SPDT开关芯片

Mingjiada

深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
【供应，回收】IC器件：CoolMOS™ P7 功率晶体管 IPD70R600P7S / HMC8038LP4CETR SPDT开关芯片。
【长期供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【长期回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

IPD70R600P7S：700V，CoolMOS™ P7 N通道功率MOSFET 晶体管，TO-252-3
型号：IPD70R600P7S
封装：TO-252-3
类型：CoolMOS™ P7 功率晶体管
IPD70R600P7S——规格参数：
系列：CoolMOS™ P7
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：8.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：600 毫欧 @ 1.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：10.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：364 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：43W（Tc）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TO252-3
封装/外壳：TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63

HMC8038LP4CETR：0.1GHz至6.0GHz，高隔离度、硅SPDT、非反射开关
型号：HMC8038LP4CETR
封装：LFCSP-16
类型：单刀双掷(SPDT)开关芯片
概述：HMC8038LP4CETR是一款高隔离度、非反射式、0.1 GHz至6.0 GH、单刀双掷(SPDT)开关芯片，采用无引脚、表贴封装。 该开关非常适合蜂窝基础设施应用，可实现高达4.0 GHz的62 dB隔离、高达4.0 GHz的0.8 dB低插入损耗和60 dBm输入三阶交调截点。
HMC8038LP4CETR——产品属性：
非反射式50 Ω设计
高隔离度： 60 dB（典型值）
低插入损耗： 0.8 dB（典型值）
高功率处理
34 dBm（通过路径）
29 dBm（端接路径）
高线性度
0.1 dB压缩(P0.1dB)： 35 dBm（典型值）
输入三阶交调截点(IP3)： 60 dBm（典型值）
ESD额定值
4 kV人体模型(HBM)，3A类
1.25 kV充电器模型(CDM)
单正电源
3.3 V至5 V
1.8 V兼容控制

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