IMZA65R010M2H（IMZA65R026M2H）IMZA65R033M2H 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管

Mingjiada

【明佳达，星际金华供应，回收】碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管：IMZA65R010M2H（IMZA65R026M2H）IMZA65R033M2H。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！



IMZA65R010M2H：650V，103A，10mΩ，CoolSiC™ MOSFET G2 晶体管，TO-247-4
型号：IMZA65R010M2H
封装：TO-247-4
类型：碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管
IMZA65R010M2H - 产品规格：
产品种类：碳化硅MOSFET
安装风格：通孔
封装 / 箱体：TO-247-4
晶体管极性：N-通道
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：650V
Id-连续漏极电流：103A
Rds On-漏源导通电阻：10mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5.6V
Qg-栅极电荷：112 nC
最小工作温度：- 55℃
最大工作温度：+ 175℃
Pd-功率耗散：440W


IMZA65R026M2H：650V，64A，26mΩ，碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管，超低开关损耗
型号：IMZA65R026M2H
封装：TO-247-4
类型：碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管
IMZA65R026M2H - 产品规格：
产品种类：碳化硅MOSFET
安装风格：通孔
封装 / 箱体：TO-247-4
晶体管极性：N-通道
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：650V
Id-连续漏极电流：64A
Rds On-漏源导通电阻：26mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 10V, + 25V
Vgs th-栅源极阈值电压：5.6V
Qg-栅极电荷：42nC
最小工作温度：- 55℃
最大工作温度：+ 175℃
Pd-功率耗散：227W


IMZA65R033M2H：650V，103A，33mΩ，碳化硅 CoolSiC™ MOSFET G2 晶体管，TO-247-4
型号：IMZA65R033M2H
封装：TO-247-4
类型：碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管
IMZA65R033M2H - 产品规格：
产品种类：碳化硅MOSFET
安装风格：通孔
封装 / 箱体：TO-247-4
晶体管极性：N-通道
通道数量：1 Channel
Vds-漏源极击穿电压：650V
Id-连续漏极电流：103A
Rds On-漏源导通电阻：33mOhms
Vgs - 栅极-源极电压：- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压：5.6V
Qg-栅极电荷：34nC
最小工作温度：- 55℃
最大工作温度：+ 175℃
Pd-功率耗散：194W



【供求】碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 晶体管：IMZA65R010M2H（IMZA65R026M2H）IMZA65R033M2H，明佳达电子，星际金华长期供应及回收原装库存器件，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！