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[供应] NTUD3174NZT5G(MOSFET晶体管) / VNS1NV04DPTR负载驱动器

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发表于 2025-3-3 11:01:21 | 显示全部楼层 |阅读模式
关键词: NTUD3174NZT5G , 晶体管 , VNS1NV04DPTR , 驱动器
深圳市明佳达电子,星际金华(供应及回收)原装库存器件:NTUD3174NZT5G(MOSFET晶体管) / VNS1NV04DPTR负载驱动器。

NTUD3174NZT5G——20V,2 N-通道MOSFET晶体管,SOT-963-6
型号:NTUD3174NZT5G
封装:SOT-963-6
类型:MOSFET晶体管
NTUD3174NZT5G——产品属性:
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):220mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 100µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):12.5pF @ 15V
功率 - 最大值:125mW(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-963
供应商器件封装:SOT-963

VNS1NV04DPTR——配电开关,负载驱动器,SOIC-8
型号:VNS1NV04DPTR
封装:SOIC-8
类型:负载驱动器
VNS1NV04DPTR——产品属性:
开关类型:通用
输出数:2
比率 - 输入:输出:1:1
输出配置:低端
输出类型:N 通道
接口:开/关
电压 - 负载:36V(最大)
电流 - 输出(最大值):1.7A
导通电阻(典型值):250 毫欧(最大)
输入类型:非反相
故障保护:限流(固定),超温,过压
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC

明佳达电子,星际金华(供应及回收)原装器件:NTUD3174NZT5G(MOSFET晶体管) / VNS1NV04DPTR负载驱动器,如有需求,欢迎联络我们!
【明佳达电子,星际金华】还长期供求以下型号:
MPQ5031GRE-0015-AEC1-Z
MPQ4272GVE-0011-AEC1-Z
ISL99360BFRZ
BQ25606RGER
TDF8546JV
FT4232HL
NRF31504-R16Q40
BTS723GW
VN5E160ASTR
TLE8888QK
MK22FN128VLL10
LTC2953CDD-1
LT1997IDF-3
IKCM15F60GA
W25Q16JWZPIQ
SPC56EL60L5CBFQR
SPC56EL70L5CBFSR
STM8S103F3U6TR
AD8657ARMZ
ADUM4224WCRWZ
ISL22511WFRU10Z
ICE5AR4770AG
CC2544RHBR
DS90UH925QSQX
LSM6DS3TR
LT8641UX
PS8409AQFN48GTR2-C0
REF195GRUZ
TPS54622RHLT

TPS613226ADBVT

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