株式会社村田制作所已开始开发微小等级的016008尺寸(0.16mm × 0.08mm)片状电感器，并致力于将其商品化。该产品已在年初(2025年1月)举行的CES 2025展会展出。 近年来，由于电子设备的高性 ...
2025年03月06日 13:54
DeepSeek说，台积电宣布在美国追加1000亿美元投资新建五家芯片工厂（包括3座晶圆厂和2座先进封装厂）及研发中心，这一决策背后涉及多重动因。综合搜索结果可归纳为以下几点：
1. 应对美国政 ...
/ 前言 /
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
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/ 前言 /
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
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/ 前言 /
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性 ...
作者：康普企业网络大中华区总经理兼副总裁 陈岚
回望2024，人工智能（AI）对行业产生的影响显露无疑。去年，数据中心对AI计算的需求呈指数级增长，这将促使行业采用更高效的流程，加快构建 ...
/ 前言 /
功率半导体热设计是实现IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性 ...
赵传禹，ADI中国区销售副总裁
新数字时代，随着人工智能、机器学习等技术在全球范围内迅速实现大规模的普及与应用，人与机器的交互方式发生了根本性的变化，这从根本上重塑了我们生活的世界 ...
/ 前言 /
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性 ...
作者：是德科技EDA高级设计与验证业务负责人Nilesh Kamdar
进入新的一年，技术研发领域将伴随着AI/ML、HI/3DIC 生态系统、光子学乃至量子计算等重要发展势头持续向前演进。这些重要趋势有望 ...
/ 前言 /
功率半导体热设计是实现IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基础，只有掌握功率半导体的热设计基础知识，才能完成精确热设计，提高功率器件的利用率，降低系统成本，并保证系统的可靠性。
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作者：Arm
Arm 不断思考着计算的未来。无论是最新架构的功能，还是用于芯片解决方案的新技术，Arm 所创造和设计的一切都以未来技术的使用和体验为导向。
凭借在技术生态系统中所处的独特 ...
