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深圳市明佳达电子,星际金华长期(供应及回收)原装库存器件:TPSI2140QDWQRQ1 固态继电器,MC33926PNBR2 电机驱动器,S70GL02GS11FHI010 存储器 ,TPS61236PRWLR 转换器。
【供应】只做原装,库存器件,价格方面由于浮动不一,请以当天询问为准!
【回收】只需原装库存器件,须有原厂外包装标签,有库存的朋友,欢迎随时联络我们!
TPSI2140QDWQRQ1:1200V 50mA 隔离式固态继电器
型号:TPSI2140QDWQRQ1
封装:SOIC-11
类型:固态继电器
一、描述:
TPSI2140QDWQRQ1 是一款隔离式固态继电器,专为高电压汽车和工业应用而设计。该器件的初级侧仅由 9mA 的输入电流供电,并集成了 一个失效防护 EN 引脚,可防止对 VDD 电源反向供电的任何可能性。
二、产品特征:
集成雪崩额定 MOSFE
1200V 关断电压
低初级侧电源电流
- 9mA 导通状态电流
- 3.5 µA 关断状态电流
隔离额定值 V ISO 高达 3750V RMS/5300V DC
峰值浪涌 V IOSM 高达 5000V
± 100 V/ns CMTI(典型值)
SOIC-11 引脚 (DWQ) 封装 ,具有宽引脚,可提高热性能
MC33926PNBR2:半桥 有刷直流电机驱动器
型号:MC33926PNBR2
封装:PQFN-32
类型:电机驱动器
一、描述:
MC33926PNBR2 是一款 SMARTMOS 单片半桥功率集成电路,主要设计用于汽车电子油门控制,它能够控制峰值电流高达 5.0 A 的电感负载。有效值电流能力取决于器件封装的散热程度。
二、产品特征:
5.0 V 至 28 V 连续运行(5.0 V 至 40 V 瞬态运行)
150 °C 时最大 RDS(on) 为 225 mΩ(每个 H 桥 MOSFET)
兼容 3.0 V 和 5.0 V TTL/CMOS 逻辑输入
通过内部恒定关断时间 PWM 实现过流限制(调节)
输出短路保护(与 VPWR 或地短路)
与温度相关的电流限制阈值降低
所有输入均有内部源/汇,可定义默认(浮动输入)状态
睡眠模式,电流消耗 < 50 µA(输入浮动或设置为默认逻辑状态时)
S70GL02GS11FHI010:2Gbit 并联 NOR 闪存存储器
型号:S70GL02GS11FHI010
封装:BGA-64
类型:NOR 闪存存储器
一、描述:
S70GL02GS 是2Gbit 并联 NOR 闪存存储器,采用 65 纳米 MIRRORBIT™ 工艺技术制造。该器件的快速页面访问时间为 25 ns,相应的随机访问时间为 110 ns。
二、产品特性:
具有多功能 I/O™ 的 3.0 V CMOS 内核
65 纳米 MIRRORBIT™ 工艺技术
多功能 I/O 功能
宽 I/O 电压 (VIO): 1.65 V 至 VCC
工业温度范围(-40°C 至 +85°C)
用于读取/编程/擦除的单电源(VCC)(2.7 V 至 3.6 V)
TPS61236PRWLR:具有恒流输出功能的 8A 可调节输出电压同步升压转换器
型号:TPS61236PRWLR
封装:VQFN-9
类型:同步升压转换器
一、描述:
TPS61236PRWLR 是一款高电流、高效率的同步升压转换器,具有恒定输出电流功能,集成了 14mΩ 电源开关,能够为 3.3V 至 5V 转换提供高达 3.5A 的输出电流,效率高达 97%。该器件支持可编程恒定输出电流,以控制功率输出,从而有效节省电源通路元件,降低系统总热耗。
二、产品特征:
高达 97% 的同步升压效率
用于 3.3V 至 5V 转换的高达 3.5A IOUT
10A 14mΩ/14mΩ 内部电源开关
可编程恒定输出电流
输出电流监控器
轻负载条件下的 10µA IQ
升压状态指示
关机时真正断开
1MHz 开关频率
软启动、电流限制、过压和过
过热保护
2.5 mm × 2.5 mm VQFN 封装
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