传三星正将平泽128层NAND闪存产线转为236层？
发布时间：2023-8-31 11:43
发布者：eechina
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来源：全球闪存市场 据韩媒《Etnews》引述业内人士29日透露，三星电子正在将平泽第一工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺。这是三星电子减少库存较多的128层NAND闪存的产量，专注于尖端产品的策略。 据此前报道，三星已制定生产计划，目标年底NAND库存正常化，即6-8周。其晶圆投入量将较上半年减少10%，目前该公司减产的主要目标是128层第6代V-NAND（V6），该产品库存较多。 虽然具体规模尚未确认，但据悉三星电子将改变平泽的许多P1NAND生产线。多位熟悉三星情况的业内人士表示，“据了解，转产政策已经确定，工作已经开始”。 P1工厂是三星电子的核心生产基地，其产能为每月10万片DRAM和19万片NAND基于12英寸（300毫米）晶圆。 据称，三星正试图减少产品产量，并将生产转移到目前商用产品中最先进的236层NAND。由于半导体工艺转换需要相当长的时间，设备更换期间的减产效果显著，意味着可以快速减少128层NAND的库存。 |
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