SK海力士发布全球首款321层1Tb NAND闪存UFS 4.1解决方案
发布时间：2025-5-22 10:30
发布者：eechina
SK海力士今日正式宣布，成功研发出搭载全球最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的移动端解决方案产品UFS 4.1。该产品以革命性技术创新突破行业瓶颈，重新定义高性能、低功耗与轻薄设计的完美平衡，为智能手机端侧AI（On-device AI）应用提供强大支持，并巩固SK海力士在旗舰移动存储市场的领导地位。
AI时代赋能：性能与低功耗兼得 随着端侧AI技术的快速发展，用户对移动设备的计算性能与续航能力提出更高要求。SK海力士此次推出的UFS 4.1产品专为优化AI工作负载设计，搭载的321层NAND闪存通过优化存储单元结构与数据传输机制，实现了能效7%提升，为智能手机提供更持久的续航表现。同时，其厚度缩减至仅0.85mm，较上一代产品减薄15%，完美适配超薄智能手机设计需求，为设备形态创新预留空间。 性能领跑行业：速度与容量全面升级 在数据传输层面，该UFS 4.1产品支持顺序读取峰值速率达4300MB/s，可快速加载大型AI模型与媒体文件。其随机读取和写入速度较上一代分别提升15%和40%，在多任务处理、大型游戏启动及高分辨率图像与视频处理等场景中表现卓越，综合性能位居全球UFS 4.1解决方案首位。 容量方面，新品提供512GB与1TB双版本选择，满足从普通用户到大容量需求者的多种场景需求，进一步推动本地存储从“云端依赖”向“边缘计算”的转变，助力端侧AI实时响应与隐私保护。 技术突破：321层工艺定义行业新标杆 此次发布的解决方案基于全球首款321层4D NAND闪存（1Tb容量），标志着SK海力士在存储芯片制程与堆叠技术领域取得重大跃进。通过优化垂直堆叠技术与电路设计，该产品在单位面积内实现更高存储密度，同时降低能耗与发热，为未来智能手机向更高性能、更轻薄、更智能的方向演进提供坚实基础。 量产计划稳步推进 SK海力士计划于202X年底向客户交付样品进行验证测试，并将于202X年第一季度正式量产。公司高层表示：“UFS 4.1解决方案的推出，不仅展现了我们在NAND技术创新上的领先性，更体现了对未来AI终端生态的深度布局。我们期待携手合作伙伴，加速端侧AI应用的普及，为用户带来更高效、更智能的移动体验。” |
网友评论