氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心在广东签约
发布时间：2023-7-10 08:59
发布者：eechina
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来源：全球半导体观察整理 据西电广州第三代半导体创新中心消息显示，近日，在广东-新加坡合作理事会第十三次会议上，西安电子科技大学广州研究院与新加坡IC Carrier Technologies Pte Ltd（以下简称“ICCT”）合作共建的“氮化镓器件和集成电路先进封装技术研究中心”项目成功签约。 据悉，该项目由广州第三代半导体创新中心团队与新加坡ICCT展开合作，围绕第三代半导体射频器件、电力电子器件等产业需求，以大幅提升QFN、陶瓷封装、金属封装等封装技术研发能力为目标，聚力开发满足产业前沿需求的先进封装技术，推进国内领先性能的第三代半导体射频器件、电力电子器件及其模块的研制进程，力争快速实现产品工程化。 公开资料显示，第三代半导体氮化镓材料具备更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更优的抗辐照能力，使得其在功率器件、射频器件、光电器件领域大有作为。随着5G通信、消费电子、新能源汽车、数据中心等高景气度下游逐步提出更高性能要求，有望放量提价。业界多位人士看好氮化镓的发展前景，英飞凌认为，未来GaN的全球使用量将会大大超过SiC，并且在多个领域取代SiC的应用，尤其是到了2030年。 官方资料显示，IC Carrier Technologies Pte Ltd （简称“ICCT”）由Yew Chee Kiang(杨志强)博士于2013年成立于新加坡，是一家致力于提供半导体封装材料和封装技术服务的企业。 |
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