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碳化硅MOS管国产从650V-1200V-1700V-3300V,后续推出6500V。
发布时间:2023-6-20 12:16 发布者:
Eways-SiC
关键词:
光伏逆变
,
静止无功发生器SVG
,
储能
,
车载OBC
,
电机控制
碳化硅MOS管国产从650V-1200V-1700V-3300V,后续推出6500V。
碳化硅MOS耐压650V-3300V和SiC模块产品简介.pdf
(10.15 MB)
2023-7-25 14:19 上传
点击文件名下载附件
SIC MOS
拥有全自主知识产权,已申请40项专利技术,采用6英寸技术已量产20余款650V~3300V全系列SiC
MOSFET
产品。
SiC
本文地址:
https://www.eechina.com/thread-826808-1-1.html
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网友评论
Eways-SiC
发表于
2023-6-21 09:01:15
碳化硅MOS要推出6500V
Eways-SiC
发表于
2023-6-29 12:19:20
国产SICMOS拥有全自主知识产权
Eways-SiC
发表于
2023-8-2 11:32:55
碳化硅MOS耐压650V-3300V和SiC模块产品简介https://pan.baidu.com/s/1EYxb29Lv-hLx9gt2K3Wuiw 提取码x913
Eways-SiC
发表于
2023-9-11 15:04:57
6500V 耐压 牛
Eways-SiC
发表于
2023-10-21 09:13:58
国产SICMOS 顶起
Eways-SiC
发表于
2023-11-13 14:50:45
碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性 电子工程网
https://www.eechina.com/thread-841262-1-1.html
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