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• 自我介绍自主研发设计碳化硅MOS管芯片、SiC MOS晶圆die与 SiC Module功率模块。通过AEC-Q101和AQG324认证。拥有全自主知识产权，已申请40项专利技术，采用6英寸技术已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产品。
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