• 所在行业汽车电子
• 居住地广东省 深圳市
• 个人主页http://
• 自我介绍自主研发设计碳化硅MOS管芯片、SiC MOS晶圆die与 SiC Module功率模块。通过AEC-Q101和AQG324认证。拥有全自主知识产权，已申请40项专利技术，采用6英寸技术已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产品。
• 兴趣爱好爬山、乒乓球

查看全部个人资料

• 光耦mos封宽带隙、高频快速开关的碳化硅MOS芯片更低功耗高速（6寸国产碳化硅晶圆die
• 碳化硅MOS晶粒尺寸＜2*2mm耐压1200V/1700V 可内封到基于 MOSFET的固态继电器？
• 国产碳化硅模块（SiC Module）车规碳化硅功率模块首家AQG324
• 碳化硅模块（全碳SiC功率模组）国产SiC Module
• 碳化硅模块~SiC Module产品简介
• SiC MOSFET碳化硅半导体栅极驱动以及SiC栅极驱动器示例
• DWC3碳化硅模块ASC300N/ASC400N/ASC600N/ASC700N电压1200V和1700V风冷和液冷散热
• 碳化硅SiC MOSFETs功率管栅极驱动基础知识
• 碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。
• 三相三电平Vienna整流器的研究与实现

• 碳化硅MOS管和SiC模块 回复

现在还没有好友

现在还没有相册