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明佳达，星际金华 供应 单二极管DSEI36-06AS-TRL，STM32H743VGT6单核MCU，DS125MB203SQ扇出缓冲器
DSEI36-06AS-TRL 整流二极管 600V 快速恢复外延二极管
产品描述
DSEI36-06AS-TRL 是一款单二极管——600V、37A、快速恢复外延整流二极管，封装为 TO-263（D2Pak）。
特点
平面钝化芯片
低漏电流
极短恢复时间
改进的热性能
极低的Irm值
极柔和的恢复特性
雪崩电压额定值，确保可靠运行
柔和反向恢复，降低电磁干扰（EMI）/射频干扰（RFI）
低Irm值可减少：
- 二极管内的功率损耗
- 换向开关的导通损耗
应用
高频开关设备的反并联二极管
抗饱和二极管
缓冲二极管
自由轮二极管
开关模式电源（SMPS）中的整流器
不间断电源（UPS）
STM32H743VGT6 Arm Cortex M7 MCU 32位单核微控制器
产品描述
STM32H743VGT6 设备提供三个 ADC、两个 DAC、两个超低功耗比较器、一个低功耗实时时钟（RTC）、一个高分辨率定时器、12 个通用 16 位定时器、两个用于电机控制的 PWM 定时器、五个低功耗定时器和一个真实随机数生成器（RNG）。
特点
32 位 Arm® Cortex®-M7 核心，配备双精度浮点单元 (FPU) 和 L1 缓存：16 KB 数据缓存和 16 KB 指令缓存，允许在单次访问中填充一条缓存行。
256 位嵌入式闪存中填充一条缓存行；频率最高可达 480MHz，MPU，856DMIPS/2.14 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1），以及 DSP 指令
复位和电源管理
3 个独立的电源域，可独立进行时钟门控或关闭以最大化电源效率：
D1：高性能功能，适用于高带宽外设
D2：通信外设和定时器
D3：复位/时钟控制/电源管理
DS125MB203SQ 12.5Gbps 双端口多路复用器和扇出缓冲器，带均衡和去强调
产品描述
DS125MB203SQ 设备是一款双端口 2:1 多路复用器和 1:2 开关或扇出缓冲器，具有信号处理功能，适用于 10GE、10G-KR（802.3ap）、光纤通道、PCIe、InfiniBand、SATA3/SAS2 及其他高速总线应用，数据速率可达 12.5 Gbps。接收器的连续时间线性均衡器（CTLE）提供必要的增益，以补偿长达 30 英寸的 FR-4 电路板或 8 米长的电缆（AWG-24）在 12.5 Gbps 下的信号衰减。此片上功能消除了对外部信号处理器的需求。发射器支持可编程幅度电压电平，可从 600 mVp-p 至 1300 mVp-p 选择，并提供最高 12 dB 的去强调功能。
特性
12.5 Gbps 双通道 2:1 多路复用器、1:2 开关或扇出
低功耗 390 mW 总功耗（典型值）
高级信号处理功能：
接收均衡最高可达 30 dB（6.25 GHz）
发射去加重最高可达 –12 dB
发射输出电压控制：600 mV 至 1300 mV
通过引脚选择、EEPROM 或 SMBus 接口可编程
可选 2.5 V 或 3.3 V 供电电压
–40°C 至 +85°C 工作温度范围
应用
10GE、10G-KR
PCIe Gen-1/2/3
SAS2/SATA3（最高 6 Gbps）
XAUI、RXAUI
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发表于