MCU STM32H743VGT6——IRSM836-044MATR智能电源模块、IPLU300N04S4-R8晶体管

Mingjiada

深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件：STM32H743VGT6微控制器IC、IRSM836-044MATR三相智能电源模块、IPLU300N04S4-R8汽车 MOSFET 晶体管。



STM32H743VGT6：480MHz，32位 ARM® Cortex®-M7 微控制器IC，LQFP-100
核心处理器：ARM® Cortex®-M7
内核规格：32位
速度：480MHz
I/O 数：82
程序存储容量：1MB（1M x 8）
程序存储器类型：闪存
RAM 大小：1M x 8
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：1.71V ~ 3.6V
数据转换器：A/D 36x16b; D/A 2x12b
振荡器类型：内部
工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：100-LQFP（14x14）
封装/外壳：100-LQFP



IRSM836-044MATR：250V、CIPOS™ Nano 三相 MOSFET 智能电源模块
电流 - 输出：4A
电压 - 供电：13.5V ~ 16.5V
电压 - 负载：200V（最大）
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
基于 FREDFET 的低 RDS（导通）沟槽
集成自举功能
欠压锁定
两个通道的匹配 prop.
交叉传导预防逻辑
3.3 V 输入逻辑兼容
有源高 HIN 和 LIN
额定功率高达 60 W@10 kHz



IPLU300N04S4-R8：40V，OptiMOS™-T2 汽车 MOSFET 晶体管，PG-HSOF-8
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：300A（Tc）
功率耗散（最大值）：429W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
N 沟道 - 增强模式
MSL1 最高 260°C 峰值回流温度
175°C 工作温度
100% 通过雪崩测试
超低 RDS(on)
支持 PPAP 的器件


明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装器件：STM32H743VGT6（32位MCU）、IRSM836-044MATR（CIPOS™ Nano 智能电源模块）、IPLU300N04S4-R8（OptiMOS™-T2 晶体管），如有需求，欢迎联络我们！