Qorvo 推出D2PAK 封装 SiC FET，提升 750V 电动汽车设计性能
发布时间：2024-1-30 17:52
发布者：eechina
Qorvo 宣布一款符合车规标准的碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）产品；在紧凑型 D2PAK-7L 封装中实现业界卓越的 9mΩ 导通电阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作为 Qorvo 全新引脚兼容 SiC FET 系列的首款产品，导通电阻值最高可达 60mΩ，非常适合车载充电器、DC/DC 转换器和正温度系数（PTC）加热器模块等电动汽车（EV）类应用。
UJ4SC075009B7S 在 25°C 时的典型导通电阻值为 9mΩ，可在高压、多千瓦车载应用中减少传导损耗并最大限度地提高效率。其小型表面贴装封装可实现自动化装配流程，降低客户的制造成本。全新的 750V 系列产品是对 Qorvo 现有的 1200V 和 1700V D2PAK 封装车用 SiC FET 的补充，打造了完整的产品组合，可满足 400V 和 800V 电池架构电动汽车的应用需求。 Qorvo 电源产品线市场总监 Ramanan Natarajan 表示：“这一全新 SiC FET 系列的推出彰显了我们致力于为电动汽车动力总成设计人员提供先进、高效解决方案的承诺，以助力其应对独特的车辆动力挑战。” 这些第四代 SiC FET 采用 Qorvo 独特的共源共栅结构电路配置，将 SiC JFET 与硅基 MOSFET 合并封装，从而制造出具备宽带隙开关技术效率优势和硅基 MOSFET 简单栅极驱动的器件。SiC FET 的效率取决于传导损耗；得益于业界卓越的低导通电阻和体二极管反向压降，Qorvo 的共源共栅结构／JFET 方式带来了更低的传导损耗。 UJ4SC075009B7S 的主要特性包括： 阈值电压 VG(th)：4.5V（典型值），允许 0 至 15V 驱动电压 较低的体二极管 VFSD：1.1V 最高工作温度：175°C 出色的反向恢复能力：Qrr＝338nC 低栅极电荷：QG＝75nC 通过汽车电子委员会 AEC-Q101 认证 有关 Qorvo 先进功率应用 SiC 解决方案的更多信息，请访问：cn.qorvo.com/go/gen4。 |
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