系统设计文章列表

莱迪思Sentry解决方案集合与SupplyGuard服务提供具有动态信任的端到端供应链保护

莱迪思半导体公司推出Lattice Sentry解决方案集合和SupplyGuard供应链保护服务。Sentry是一系列优质资源的组合,包括可定制化的嵌入式软件、参考设计、IP和开发工具,可加速实现符合NIST平台固 ...
2020年08月13日 14:43   |  
Lattice   Sentry   SupplyGuard   硬件安全  
宽禁带生态系统:快速开关和颠覆性的仿真环境

宽禁带生态系统:快速开关和颠覆性的仿真环境

作者:安森美半导体 宽禁带材料实现了较当前硅基技术的飞跃。 它们的大带隙导致较高的介电击穿,从而降低了导通电阻(RSP)。 更高的电子饱和速度支持高频设计和工作,降低的漏电流和更好的导 ...
2020年07月17日 16:58   |  
宽禁带   快速开关   SiC   spice  
用于扇出型晶圆级封装的铜电沉积

用于扇出型晶圆级封装的铜电沉积

作者:泛林集团 随着集成电路设计师将更复杂的功能嵌入更狭小的空间,异构集成包括器件的3D堆叠已成为混合与连接各种功能技术的一种更为实用且经济的方式。作为异构集成平台之一,高密度扇出 ...
2020年07月14日 09:51   |  
沉积   异构   泛林   铜柱  
多级存储器与模拟内存内计算完美融合,人工智能边缘处理难题迎刃而解

多级存储器与模拟内存内计算完美融合,人工智能边缘处理难题迎刃而解

作者:Vipin Tiwari ,Microchip嵌入式存储器产品开发总监 机器学习和深度学习已成为我们生活中不可或缺的部分。利用自然语言处理(NLP)、图像分类和物体检测实现的人工智能(AI)应用已深 ...
2020年07月13日 11:06   |  
多级存储   人工智能   边缘处理   机器学习   神经网络  
借助虚拟工艺加速工艺优化

借助虚拟工艺加速工艺优化

撰文:泛林集团半导体工艺整合总监Joseph Ervin 我们不断向先进的CMOS的微缩和新存储技术的转型,导致半导体器件结构的日益复杂化。例如,在3D NAND内存中,容量的扩展通过垂直堆栈层数的增 ...
2020年06月24日 16:52   |  
虚拟工艺   SEMulator3D  
原子级工艺实现纳米级图形结构的要求

原子级工艺实现纳米级图形结构的要求

作者:泛林集团 原子层刻蚀和沉积工艺利用自限性反应,提供原子级控制。泛林集团先进技术发展事业部公司副总裁潘阳博士分享了他对这个话题的看法。 图 1. 原子层工艺中的所有半周期反应 ...
2020年06月04日 15:43   |  
原子层工艺   泛林   沉积   刻蚀  

工业节能降耗管理办法,工厂能耗在线监测体系介绍

工业节能降耗管理与措施,工厂能耗在线监测系统。工厂较多是是重点用能单位,工业节能降耗管理系统,企业能源使用丰富,用能量大,生产工艺和工序繁多且复杂,及其需要能耗在线监测系统。不管是 ...
2020年05月12日 16:18

区块链支付通道搭建开发数字货币价格波动技术解决方案

区块链支付系统,它主要也是利用区块链的去中心化以及不可修改等等特征,为整个行业去掉三方这个角色。区块链支付通道不仅为支付卖免掉了高昂的费用费,更免去支付流程中不安全,不及时等等问题 ...
2020年05月11日 14:59

数字货币合约跟单系统技术开发功能

数字货币合约跟单系统技术开发功能合约交易是指买卖双方对约定未来某个时间按指定价格接受一定数量的某种资产的协议进行交易。合约交易的买卖对象是由交易所统一制定的标准化合约,交易所规定了 ...
2020年05月06日 15:31
新移动时代下的IC设计

新移动时代下的IC设计

西门子公司白皮书 加速汽车IC设计周期 自动驾驶汽车(AV)正在将我们推入一个全新的移动时代,为了满足AV的高性能和低功耗要求,如今的SoC设计者需要为AI算法优化定制的硅架构,使用传统 ...
2020年04月22日 11:38   |  
自动驾驶   IC设计   HLS  
美国能源之星IES LM-79-19最新标准解读

美国能源之星IES LM-79-19最新标准解读

ANSI(American National Standards Institute)美国国家标准学会与IES(Illuminating Engineering Society of North America) 美国照明工程学会于2019年5月正式发布IES LM-79-19最新版标准,该 ...
2020年04月20日 16:58   |  
能源之星   IES   LM-79-19  
漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别

漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别

作者:Tae Yeon Oh, 泛林集团半导体工艺及整合高级工程师 从20nm技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常,D ...
2020年04月09日 17:32   |  
DRAM   漏电流   寄生电容  

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