【MOSFET 晶体管】IPDQ60R075CFD7 / IPDQ60R025CFD7，IAUA250N04S6N005，ISC030N12NM6（供求）

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明佳达电子（星际金华）长期供应及回收原装库存器件：【MOSFET 晶体管】IPDQ60R075CFD7 / IPDQ60R025CFD7，IAUA250N04S6N005，ISC030N12NM6，有兴趣的朋友，欢迎随时联络我们！


IPDQ60R075CFD7 / IPDQ60R025CFD7：600V 增强型 CoolMOS™ CFD7 MOSFET 晶体管
描述：IPDQ60R075CFD7 / IPDQ60R025CFD7 是 600V 高压 CoolMOS™ CFD7 MOSFET 晶体管，集成了快速体二极管，完善了 CoolMOS™ 7 系列。
型号：IPDQ60R075CFD7 / IPDQ60R025CFD7
封装：PG-HDSOP-22
类型：MOSFET 晶体管
产品特性：
超快体二极管
同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr)
改进的反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 强度
最低 FOM RDS(on)x Qg 和 Eoss
同类最佳的 RDS(on)/ 封装组合


IAUA250N04S6N005：OptiMOS™ 6 汽车功率 MOSFET 晶体管
型号：IAUA250N04S6N005
封装：PG-HSOF-5-5
类型：MOSFET 晶体管
一、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：62A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：7V，10V
功率耗散（最大值）：250W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
二、产品特征：
OptiMOS™ 功率 MOSFET
N 沟道 MOSFET
增强模式 - 正常电平
超出 AEC-Q101 的扩展鉴定
增强型电气测试
MSL3 峰值回流温度高达 260°C
175°C 工作温度
100% 通过雪崩测试


ISC030N12NM6：120V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管
一、描述：
ISC030N12NM6 是一款正常级 120V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 晶体管，采用 SuperSO8 封装，导通电阻为 3.04 mOhm。
二、产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Ta），194A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，10V
功率耗散（最大值）：3W（Ta），250W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
三、产品特征：
N 通道、正常电平
极低的导通电阻 RDS(on)
出色的栅极电荷 x RDS（导通）乘积（FOM）
极低的反向恢复电荷（Qrr）
雪崩能量等级高
175°C 工作温度


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