SK海力士率先部署存储行业首款量产型High NA EUV光刻机
发布时间：2025-9-3 10:44
发布者：eechina
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9月3日，SK海力士正式宣布将全球首款量产型高数值孔径极紫外光刻机（High NA EUV）TWINSCAN EXE:5200B引入韩国利川M16工厂，并举行盛大的设备入厂仪式。 技术突破：分辨率提升至8nm，集成度跃升2.9倍 此次引进的ASML EXE:5200B设备采用全球领先的0.55数值孔径（NA）光学系统，较现有EUV设备（NA 0.33）性能提升40%。其核心优势在于可实现8nm级分辨率，电路图案绘制精密度达前代1.7倍，单芯片集成度提升2.9倍。据技术专家解析，NA值的提升使透镜汇聚光线能力显著增强，相当于将显微镜的放大倍数与清晰度同步升级，从而在晶圆上刻画出更细密的电路结构。 战略意义：巩固AI存储器技术领导地位 SK海力士未来技术研究院院长车宣龙在仪式上强调："该设备将简化现有EUV工艺流程，加速下一代存储器研发进程。"作为全球HBM（高带宽内存）市场的领导者，SK海力士近期刚完成HBM3E的量产交付，其1.18TB/s的数据处理速度已创行业纪录。而High NA EUV的引入，将助力公司开发更先进的1γ（1-gamma）制程DRAM及千层级3D NAND闪存，满足AI训练对存储器容量与能效的严苛需求。 产业影响：重塑全球半导体供应链格局 ASML韩国公司总经理金丙灿透露，High NA EUV设备年产能仅5-6台，单台成本超26亿元人民币。此前英特尔曾包揽2025年上半年全部产能，SK海力士此次突破性引进，彰显其技术投入的决心与供应链协同能力。行业分析师指出，此举将帮助SK海力士在2026年后量产的1γ DRAM上实现30%的能效提升，同时降低单位存储成本，强化其在数据中心、自动驾驶等高增长市场的竞争力。 生态协同：MR-MUF封装技术再升级 配合先进光刻设备，SK海力士同步优化了芯片封装工艺。其独有的Advanced MR-MUF技术通过改进液态保护材料注入方式，使HBM3E的散热效率较前代提升10%。这种"精密制造+高效封装"的组合拳，使得单颗HBM3E芯片可支持每秒230部全高清电影的数据传输，为生成式AI大模型训练提供硬件支撑。 未来展望：瞄准2030技术愿景 SK海力士制造技术担当李秉起副社长透露，M16工厂将基于High NA EUV设备构建"无人化智能产线"，通过数字孪生技术实现制程参数的实时优化。公司计划到2030年将EUV技术覆盖90%以上的先进存储产品，并在3D NAND领域挑战500层堆叠技术。随着今日设备的正式入场，全球存储产业正式进入"亚纳米级"竞争新阶段。 |
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