闪迪与SK海力士强强联手 共推高带宽闪存HBF标准化
发布时间：2025-8-8 10:54
发布者：eechina
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闪迪（SanDisk）与SK海力士近日联合宣布，双方已签署一份具有里程碑意义的合作备忘录（MOU），将共同制定高带宽闪存（High Bandwidth Flash, HBF）的行业规范。这一合作标志着AI存储技术迈入新阶段，旨在通过创新架构突破传统内存与存储的瓶颈，为人工智能（AI）推理工作负载提供更高效、更具扩展性的解决方案。 HBF是一种融合3D NAND闪存与高带宽存储器（HBM）特性的革命性存储技术，其设计目标是在保持接近HBM带宽水平的同时，以显著更低的成本提供8至16倍的存储容量。与完全依赖DRAM的传统HBM方案相比，HBF通过部分采用NAND闪存替代DRAM堆栈，在牺牲极小延迟的前提下实现容量飞跃，并具备非易失性特性，大幅降低能耗。这一技术尤其适用于AI训练与推理场景中日益增长的数据密集型需求，可有效缓解当前HBM因容量限制导致的高成本与散热压力问题。 SK海力士作为全球HBM技术的领导者，在高性能存储解决方案领域拥有深厚的技术积淀与产业链整合能力。其参与HBF标准制定将为这一新兴技术注入关键的行业经验，确保HBF与现有GPU、中介层及系统架构的无缝兼容。闪迪则凭借在NAND闪存领域的创新积累，特别是其专有的BiCS NAND技术与晶圆键合工艺，为HBF提供了高密度、高可靠性的存储基础。双方通过优势互补，不仅加速了HBF从概念验证到商业化落地的进程，更致力于将其塑造为跨厂商的通用标准，避免技术碎片化风险。 根据合作计划，闪迪目标于2026年下半年推出首批HBF内存样品，并在2027年初实现搭载该技术的AI推理设备原型验证。这些设备预计将覆盖从手持终端到服务器的全场景应用，为边缘计算与超大规模数据中心提供灵活的内存扩展方案。SK海力士总裁兼首席开发官Hyun Ahn博士表示：“通过与闪迪合作制定HBF规范，我们正积极推动这项创新技术的商业化进程，相信其将成为释放AI及下一代数据工作负载全部潜力的关键。”闪迪执行副总裁兼首席技术官Alper Ilkbahar则强调：“此次合作将满足人工智能行业对可扩展内存的迫切需求，为全球技术生态提供超越客户预期的创新工具。” 值得注意的是，HBF的推出直击当前AI产业的核心挑战——如何在有限功耗与散热预算下处理爆炸式增长的数据量。研究表明，大型语言模型（LLM）的推理效率受限于内存容量与带宽的平衡难题，而HBF通过分层存储架构（如HBM+闪存混合堆栈）提供了全新思路。尽管NAND闪存的延迟高于DRAM，但其非易失性与高容量特性使其成为冷数据存储的理想选择，配合HBM处理热数据，可显著优化整体系统效率。 市场分析指出，此次合作或将重塑AI存储供应链格局。三星、美光等头部厂商均在加速布局HBM4及逻辑芯片集成技术，而闪迪与SK海力士的HBF方案为行业提供了差异化路径。若未来Nvidia等GPU巨头采纳该标准，HBF有望成为AI基础设施的标配组件，进一步推动存储技术的多元化发展。闪迪此前已凭借HBF原型技术荣获2025年闪存峰会“最具创新力技术”奖，并成立技术顾问委员会指导生态系统建设，彰显其推动行业标准的决心。 随着AI应用从云端向边缘延伸，存储技术的突破已成为算力升级的关键瓶颈。闪迪与SK海力士的此次联手，不仅为高带宽存储开辟了新赛道，更通过开放合作模式为行业提供了可持续发展的范本。业界预计，HBF的标准化进程将加速异构内存堆栈的普及，使DRAM、闪存乃至新型持久内存能够在AI加速器中共存，最终赋能下一代计算架构突破内存墙限制，迎接通用人工智能时代的到来。 |
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