佳能时隔21年重启光刻机工厂布局
发布时间：2025-8-5 09:39
发布者：eechina
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7月30日，日本佳能公司在栃木县宇都宫市为其新建的半导体光刻设备工厂举行盛大开业仪式，标志着这家光学巨头时隔21年再次加码光刻机制造领域。新工厂总投资额约500亿日元（约合人民币24.37亿元），总建筑面积达67,518平方米，预计将于今年9月启动初期生产，并在明后年逐步完善镜头加工等核心制造能力。 此次新建的宇都宫工厂并未聚焦ASML垄断的EUV（极紫外）或ArF（浸没式深紫外）等尖端光刻技术，而是瞄准了i线（365nm）、KrF（248nm）等成熟光源平台的光刻设备，以及纳米压印（NIL）图案化系统。这一战略选择与当前全球半导体产业需求变化密切相关——随着人工智能（AI）技术爆发推动高性能芯片需求激增，传统制程芯片在汽车控制、电源管理、功率器件等领域的应用持续扩大，同时先进封装技术成为突破摩尔定律瓶颈的关键路径。佳能董事长兼首席执行官御手洗富士夫在开幕式上强调：“新工厂凝聚了佳能在光学、精密控制与材料工程领域的技术积淀，将成为支撑全球半导体产业链的重要基石。” 市场分析指出，佳能此次布局精准卡位了成熟制程与封装设备的蓝海市场。目前，荷兰ASML凭借EUV技术占据全球90%以上的光刻机市场份额，但在I-line、KrF等成熟节点及后道封装光刻机领域，佳能仍保有显著优势。数据显示，此类设备约占佳能半导体业务总销售额的30%，其主要客户包括台积电等头部晶圆代工厂商，用于中介层与多芯片模块的精密加工。随着AI芯片设计趋向多芯片集成，中介层布线需求大幅攀升，而佳能此前推出的前端光刻设备已成功适配此类后端工艺，形成差异化竞争力。 值得关注的是，宇都宫工厂还将承担佳能纳米压印光刻（NIL）技术的量产任务。这项被视为EUV潜在替代方案的技术通过“盖章式”纳米图案转移实现芯片电路印制，无需复杂透镜系统，能耗仅为EUV的10%，设备投资成本降低约40%。自2017年起，佳能便联合铠侠、大日本印刷等企业推进NIL技术研发，目前已实现15纳米级量产能力，并计划于2025年向美国半导体联盟交付最新一代FPA-1200NZ2C系统，目标直指5纳米以下制程突破。 佳能此前在2024年财报中透露，其2025年半导体光刻设备销量目标为225台，较上年增长9%，而宇都宫工厂的投产被视为达成这一目标的核心驱动力。行业预测显示，新工厂全面达产后，佳能光刻设备总产能将较2021年水平翻倍，进一步巩固其在非先进制程领域的市场地位。在ASML垄断高端市场的格局下，佳能通过聚焦成熟技术、封装创新与下一代工艺探索，正悄然重塑全球半导体制造设备的竞争版图。 |
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