ASML与蔡司联手开发5nm Hyper NA EUV光刻机，瞄准2035年芯片制造需求
发布时间：2025-7-1 10:55
发布者：eechina
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ASML近日宣布，已与长期光学合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）共同启动下一代Hyper NA EUV光刻机的研发，目标实现单次曝光5nm分辨率，以满足2035年及更远未来的先进芯片制造需求。这一突破性技术将推动半导体行业突破现有光刻极限，为人工智能、高性能计算及量子芯片等前沿领域提供关键支持。 当前，ASML最先进的High NA EUV光刻机已实现单次曝光8nm分辨率，支持3nm至5nm制程量产。然而，随着芯片工艺向2nm及以下节点迈进，现有技术面临分辨率瓶颈。Hyper NA EUV的核心创新在于数值孔径（NA）的大幅提升，目标将NA值从目前的0.55进一步提高至0.7甚至更高，从而在相同波长下提升30%-40%的分辨率，使单次曝光5nm成为可能。 数值孔径的提升依赖于光学系统的重新设计，包括更大尺寸的物镜、纳米级精度的镜面曲率控制，以及克服光线折射带来的像差问题。蔡司凭借其在精密光学领域的深厚积累，将与ASML共同攻克这些技术挑战。若研发成功，Hyper NA EUV将显著减少多重曝光的依赖，提高生产效率并降低芯片制造成本，同时提升良率与图案精度。 ASML表示，尽管尚未公布Hyper NA EUV的具体量产时间表，但该技术的研发已受到台积电、三星、英特尔等全球领先晶圆厂的密切关注。随着摩尔定律逼近物理极限，Hyper NA EUV有望成为延续半导体技术演进的关键驱动力，为2035年后的芯片制造奠定基础。 |
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