ASML启动下一代Hyper NA EUV光刻机研发，瞄准5nm单次曝光技术
发布时间：2025-6-30 08:56
发布者：eechina
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全球半导体设备巨头ASML近日宣布，已着手研发下一代Hyper NA EUV光刻机，旨在突破现有技术极限，为未来十年的芯片产业提供关键支撑。这一新型光刻机的核心目标是通过单次曝光实现5nm级电路图案分辨率，从而满足2035年及以后的超先进制程需求，特别是在人工智能、高性能计算和量子芯片等前沿领域。 ASML当前最先进的High NA EUV光刻机已实现单次曝光8nm分辨率，支持3nm至5nm制程的大规模量产。然而，随着芯片制造工艺向2nm、1.5nm甚至更小节点迈进，现有技术面临挑战。Hyper NA EUV的关键突破在于数值孔径（NA）的跨越式提升，目标将NA值从目前的0.55进一步提高至0.7甚至更高，预计分辨率较现有技术提升30%-40%。 数值孔径的提升意味着光学系统能收集更广角的光线，从而在晶圆上投射更精细的电路图案。然而，超高NA光学系统的研发面临巨大挑战，包括物镜直径的显著增加、镜面曲率精度的纳米级控制，以及光线折射导致的像差问题。为此，ASML与长期合作伙伴蔡司（Carl Zeiss）展开深度合作，利用后者在高精度光学制造领域的技术积累，共同攻关这一尖端项目。 半导体行业对摩尔定律延续性的焦虑促使ASML加速推进Hyper NA EUV研发。市场预测显示，到2030年，全球2nm以下制程芯片的需求将激增至先进制程市场的30%以上，而现有High NA EUV技术可能很快触及分辨率上限。台积电、三星、英特尔等晶圆巨头均密切关注Hyper NA EUV的进展，该技术有望成为未来芯片制造的关键推动力。 尽管Hyper NA EUV的量产时间尚未最终确定，但ASML的研发步伐已为半导体产业的未来奠定基础。随着物理极限的逼近，光刻技术的每一次突破都将深刻影响全球科技产业的竞争格局。 |
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