ROHM发布新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”

发布时间:2025-6-10 19:51    发布者:eechina
关键词: ROHM , 电力转换 , 功率半导体
功率半导体仿真速度实现质的飞跃

半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出新SPICE模型“ROHM Level 3(L3)”,该模型提升了收敛性和仿真速度。

功率半导体的损耗对系统整体效率有重大影响,因此在设计阶段的仿真验证中,模型的精度至关重要。ROHM以往提供的SiC MOSFET用SPICE模型“ROHM Level 1(L1)”,通过提高每种特性的复现性,满足了高精度仿真的需求。然而另一方面,该模型存在仿真收敛性问题和运算时间较长等问题,亟待改进。

新模型“ROHM Level 3(L3)”通过采用简化的模型公式,能够在保持计算稳定性和开关波形精度的同时,将仿真时间较以往L1模型缩短约50%。由此,能够高精度且快速地执行电路整体的瞬态分析,从而有助于提升应用设计阶段的器件评估与损耗确认的效率。

“ROHM Level 3(L3)”的第4代SiC MOSFET模型(共37款机型)已于2025年4月在官网上发布,用户可通过产品页面等渠道下载。新模型L3推出后,以往模型仍将继续提供。另外,ROHM还发布了详细的使用说明白皮书,以帮助用户顺利导入新模型。

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用户可从第4代SiC MOSFET相应产品页面的“设计模型”中下载

<相关信息>


未来,ROHM将继续通过提升仿真技术,助力实现更高性能以及更高效率的应用设计,为电力转换技术的革新贡献力量。

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