SK海力士成功开发出全球首款第六代10纳米级DDR5 DRAM

发布时间:2024-8-29 10:21    发布者:eechina
关键词: SK海力士 , DDR5 , DRAM
SK海力士今日宣布,其研发团队已成功开发出全球首款采用第六代10纳米级(1c)工艺的16Gb DDR5 DRAM,标志着公司在数据存储技术领域迈出了划时代的一步。

1.jpg

据SK海力士官方介绍,此次推出的第六代10纳米级DDR5 DRAM采用了最先进的制造工艺,实现了每颗芯片16Gb的存储容量,同时其运行速度达到了每秒8Gbps,相比前一代产品提升了11%。这一显著的速度提升将极大地加快数据中心的数据处理能力,满足日益增长的高性能计算需求。

在能效方面,新款DDR5 DRAM同样表现出色。得益于10纳米级工艺的优化,其能效比前一代产品提高了超过9%。在当前全球倡导绿色计算和节能减排的背景下,这一改进无疑将为用户带来更低的能耗成本和更环保的使用体验。SK海力士预计,如果全球客户将其应用于数据中心,电费最高可减少30%,这将为运营商带来显著的成本节约。

SK海力士的技术团队表示,第六代10纳米级DDR5 DRAM的成功开发,得益于公司在半导体制造工艺领域的深厚积累和不断创新。公司以业界最高性能的第五代(1b)DRAM技术为基础,通过技术优化和新材料的引入,成功实现了工艺上的突破。同时,公司还在整个生产过程中进行了全面的优化,提高了生产效率和成本竞争力。

此外,SK海力士还透露,新款DDR5 DRAM将在年内完成量产准备,并计划于明年开始正式供应市场。

对于此次成果,SK海力士首席执行官表示:“我们非常自豪能够引领半导体存储器技术的发展潮流。第六代10纳米级DDR5 DRAM的成功开发,不仅是我们技术实力的体现,更是我们对未来市场需求深刻理解的结果。我们相信,这款产品将为用户带来前所未有的性能体验和成本节约,推动整个数据存储行业的进步。”
本文地址:https://www.eechina.com/thread-869510-1-1.html     【打印本页】

本站部分文章为转载或网友发布,目的在于传递和分享信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责;文章版权归原作者及原出处所有,如涉及作品内容、版权和其它问题,我们将根据著作权人的要求,第一时间更正或删除。
您需要登录后才可以发表评论 登录 | 立即注册

厂商推荐

  • Microchip视频专区
  • 了解一下Microchip强大的PIC18-Q24 MCU系列
  • 基于CEC1712实现的处理器SPI FLASH固件安全弹性方案培训教程
  • 安静高效的电机控制——这才是正确的方向!
  • 5分钟详解定时器/计数器E和波形扩展!
  • 贸泽电子(Mouser)专区
关于我们  -  服务条款  -  使用指南  -  站点地图  -  友情链接  -  联系我们
电子工程网 © 版权所有   京ICP备16069177号 | 京公网安备11010502021702
快速回复 返回顶部 返回列表