HBM需求强劲驱动市场变革 SK海力士首超三星登顶全球DRAM营收榜首
发布时间：2025-6-5 09:10
发布者：eechina
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市场研究机构最新发布的报告显示，在高带宽存储器（HBM）需求激增的推动下，SK海力士凭借其在AI高性能存储领域的领先优势，于2025年第一季度首次超越三星电子，成为全球DRAM市场营收最高的厂商。这一里程碑标志着DRAM产业格局的重大变化，也凸显了HBM技术对行业发展的战略性影响。 HBM需求爆发重塑市场格局 据TrendForce、Omdia及Counterpoint Research等多家机构数据显示，2025年第一季度全球DRAM市场规模达263亿至270亿美元，尽管受传统DRAM价格下跌及HBM出货量阶段性调整影响，整体环比下滑约5%-9%，但SK海力士凭借HBM3E产品的高附加值和稳定的市场份额，实现营收97.2亿美元（Omdia数据），环比降幅仅7.1%，以36%的市占率登顶全球第一。相比之下，三星电子受HBM3E改版设计及中国市场出货限制等因素影响，营收降至91亿美元，市场份额下滑至33.7%。 SK海力士的崛起源于其对HBM技术的长期投入。作为AI服务器、高性能计算（HPC）等领域的核心存储组件，HBM通过垂直堆叠技术实现远超传统DRAM的带宽与能效，成为支撑生成式AI大模型训练的关键硬件。机构数据显示，SK海力士目前占据全球HBM市场超70%的份额，其12层HBM3E产品独家供应英伟达最新一代AI加速器，预计2025年HBM业务收入占其DRAM总销售额的40%以上，并计划年底前将12层HBM3E的出货占比提升至80%（TrendForce预测）。 三星承压：技术迭代与市场策略调整 三星电子虽在2024年第四季度以112.5亿美元收入领跑行业，但2025年Q1因HBM产能排挤效应及客户结构调整导致营收显著下滑。Counterpoint Research指出，三星HBM3E产品出货延迟及对中国大陆市场的限制，使其在高端存储领域的竞争力暂时受挫。不过，三星仍保持传统DRAM市场的规模优势，未来或通过加速HBM4研发（预计2026年量产）及1bnm制程升级（月产能目标9万片）重夺领先地位。 美光稳居第三，台系厂商差异化突围 美光科技凭借灵活的产能调配和HBM3E产品的增长，Q1营收达65.8亿美元，环比逆势增长2.7%，市占率提升至24.3%。台系厂商如南亚科技和华邦电子则通过DDR5及LPDDR4等成熟制程产品填补市场缺口，分别实现8.5%和22.7%的营收环比增长，展现特定应用领域的韧性。 机构展望：HBM引领长期增长，下半年或迎复苏 尽管Q1市场整体疲软，TrendForce预测随着PC、智能手机厂商完成库存调整，叠加AI算力需求持续攀升，2025年下半年DRAM合约价有望止跌回升。HBM的市场渗透率预计将从2024年的18%跃升至2025年的30%以上，并在2033年占据DRAM市场的“半壁江山”（Counterpoint Research数据）。SK海力士计划通过扩大12层HBM3E产能及推进HBM4技术，巩固其在AI时代的竞争优势。 |
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