Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性

发布时间:2024-6-28 19:56    发布者:eechina
关键词: 碳化硅 , SiC , 肖特基二极管
器件采用MPS结构设计,额定电流5 A~ 40 A,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.推出16款新型第三代1200 V碳化硅(SiC)肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基(MPS)结构设计,具有高浪涌电流保护能力,低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低,有助于提升开关电源设计能效和可靠性。

20240628_SiC_Schottky_Diode.jpg

日前发布的新一代SiC二极管包括5 A至40 A器件,采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC,正向压降减小为1.35 V。此外,器件25 C下典型反向漏电流仅为2.5 μA,因此降低了导通损耗,确保系统轻载和空载期间的高能效。与超快恢复二极管不同,第三代器件几乎没有恢复拖尾,从而能够进一步提升效率。

碳化硅二极管典型应用包括FBPS和LLC转换器AC/DC功率因数校正(PFC)和 DC/DC超高频输出整流,适用于光伏逆变器、储能系统、工业驱动器和工具、数据中心等。这些严苛的应用环境中,器件工作温度可达+175°C,正向额定浪涌电流保护能力高达260 A。此外,D2PAK 2L封装二极管采用高CTI  600的塑封料,确保电压升高时优异的绝缘性能。

器件具有高可靠性,符合RoHS标准,无卤素,通过2000小时高温反偏(HTRB)测试和2000次热循环温度循环测试。

器件规格表:
产品编号IF(AV) (A)IFSM (A)IF 下VF (V)QC (nC)配置封装
VS-3C05ET12T-M35421.3528单晶圆TO-220AC 2L
VS-3C10ET12T-M310841.3555单晶圆TO-220AC 2L
VS-3C15ET12T-M3151101.3581单晶圆TO-220AC 2L
VS-3C20ET12T-M3201801.35107单晶圆TO-220AC 2L
VS-3C05ET12S2L-M35421.3528单晶圆D2PAK 2L
VS-3C10ET12S2L-M310841.3555单晶圆D2PAK 2L
VS-3C15ET12S2L-M3151101.3581单晶圆D2PAK 2L
VS-3C20ET12S2L-M3201801.35107单晶圆D2PAK 2L
VS-3C10EP12L-M310841.3555单晶圆TO-247AD 2L
VS-3C15EP12L-M3151101.3581单晶圆TO-247AD 2L
VS-3C20EP12L-M3201801.35107单晶圆TO-247AD 2L
VS-3C30EP12L-M3302601.35182单晶圆TO-247AD 2L
VS-3C10CP12L-M32 x 5421.3528双晶圆共阴极TO-247AD 3L
VS-3C20CP12L-M32 x 10841.3555双晶圆共阴极TO-247AD 3L
VS-3C30CP12L-M32 x 151101.3581双晶圆共阴极TO-247AD 3L
VS-3C40CP12L-M32 x 201801.35107双晶圆共阴极TO-247AD 3L

新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产,供货周期为13周。


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