ASML拟推出Hyper-NA EUV光刻机，芯片密度限制再缩小
发布时间：2024-6-18 10:58
发布者：eechina
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来源：大半导体产业网 日前，ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问Martin van den Brink在imec ITF World的演讲中表示：“从长远来看，我们需要改进光刻系统，因此必须要升级 Hyper-NA。与此同时，我们必须将所有系统的生产率提高到每小时400-500片晶圆”。同时透露，ASML将在2030年左右提供Hyper-NA，达到0.75NA，以便实现更高分辨率的图案化及更小的晶体管特征。 
Imec高级图案设计项目总监Kurt Ronse表示，这是ASML首次将Hyper-NA EUV加入其技术路线图。现阶段想要突破0.55NA，需要解决光偏振和光刻胶的挑战。Ronse 还指出，目前的High-NA应该会持续贯穿从2nm到1.4nm、10埃米甚至7埃米的工艺节点，此后，Hyper-NA 将开始占据主导地位。 
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