[MOSFET 晶体管] FDBL86210-F085，NVMFS5C638NLT1G，NVMFS5C460NLWFAFT1G（供求）

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[MOSFET 晶体管] FDBL86210-F085，NVMFS5C638NLT1G，NVMFS5C460NLWFAFT1G（供应，回收）
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

FDBL86210-F085：N 通道 150V 169A (Tc) 500W (Tj) 表面帖装型
型号：FDBL86210-F085
类型：MOSFET 晶体管
产品说明：FDBL86210-F085 是150V、169A N 通道功率 Trench® MOSFET 晶体管，采用 8-PowerSFN 封装。
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：169A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.3 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5805 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：500W（Tj）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-HPSOF
封装/外壳：8-PowerSFN

NVMFS5C638NLT1G：N 通道 60V 表面贴装型 5-DFN（5x6）
型号：NVMFS5C638NLT1G
类型：MOSFET 晶体管
产品说明：NVMFS5C638NLT1G 是60V N 通道功率MOSFET 晶体管，采用 8-PowerTDFN 封装。
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：26A（Ta），133A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：3 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：40.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：2880 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：4W（Ta），100W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线

NVMFS5C460NLWFAFT1G：表面贴装型 N 通道 40V 5-DFN（5x6）
型号：NVMFS5C460NLWFAFT1G
类型：MOSFET 晶体管
产品说明：NVMFS5C460NLWFAFT1G 是 40V 单N通道功率MOSFET晶体管，采用 8-PowerTDFN 封装。
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Ta），78A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：4.5 毫欧 @ 35A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：23 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1300 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），50W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线