MOSFET 晶体管：STF22NM60N，QCPL-A58JV-500E，IPB029N15NM6

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STF22NM60N 600V MDmesh™ II N 沟道功率 MOSFET 晶体管

产品描述
STF22NM60N 是采用第二代 MDmesh™ 技术开发的 N 沟道功率 MOSFET 晶体管。

特性
100% 经过雪崩测试
低输入电容和栅极电荷
低栅极输入电阻

应用
开关应用

带 R2Coupler™ 隔离功能的 QCPL-A58JV-500E 汽车光 MOSFET

产品描述
QCPL-A58JV-500E 由一个 AlGaAs 红外发光二极管 (LED) 输入级与一个高压输出检测器电路光学耦合组成。检测器由高速光电二极管阵列和驱动电路组成，用于接通/断开两个分立式高压 MOSFET。光 MOSFET 打开（触点闭合）时，通过输入 LED 的最小输入电流为 7 mA。输入电压为 0.4V 或更低时，光 MOSFET 关断（触点打开）。

特性
击穿电压，BVDSS：IDSS = 250 µA 时为 1500V
雪崩额定 MOSFET
低关态漏电：
- 在 VDS = 1000V 时，QCPL-A58JV 的 IOFF < 1 µA
- VDS = 1000V 时，QCPL-A58JT 的 IOFF < 5 µA
导通电阻，在 ILOAD = 10 mA 时，RDS(ON) < 250Ω
开启时间： TON < 4 ms
关断时间： TOFF < 0.5 ms
封装：300 密耳 SO-16
爬电距离和间隙 ≥ 8 mm（输入-输出）
间隙 > 5 mm（MOSFET 漏极引脚之间）
安全和监管认证：
- IEC/EN/DIN EN 60747-5-5
- 最大工作绝缘电压 1414 VPEAK
- 1 分钟 5000 VRMS，符合 UL1577 标准
- CSA 元件验收

应用
电池绝缘电阻测量/泄漏检测
用于检测电池的 BMS 飞行电容器拓扑结构

IPB029N15NM6 150V OptiMOS™ 6 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

产品说明
IPB029N15NM6 OptiMOS™ 6 150 V 正常电平在竞争激烈的 150 V 市场中创造了新的性能水平。

OptiMOS™ 6 150 V 技术旨在满足高、低开关频率应用以及硬开关和软开关的要求。

特点
RDS(on) 比 OptiMOS™ 5 低 40
150 V 时的业界最低 Qrr
与 OptiMOS™ 5 相比，二极管软性得到改善
+/-500 mV 的严格 Vgs(th) 分布
高雪崩坚固性
最大 Tj 为 175°C 和 MSL1

优势
低导通和开关损耗
稳定运行，改善 EMI
并联时可更好地分担电流
稳健性增强
提高系统可靠性

应用
轻型电动汽车 (LEV)
电机控制
电动工具

明佳达，星际金华供应MOSFET 晶体管：STF22NM60N，QCPL-A58JV-500E，IPB029N15NM6