[供求] TPS72015QDRVRQ1【低压差线性稳压器】，STL8DN6LF6AG【MOSFET 晶体管】FDBL86210-F085

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TPS72015QDRVRQ1 是一款双轨、350mA、超低 VIN、射频低压差线性稳压器，带 BIAS 引脚。它具有出色的交流性能（PSRR、负载和线路瞬态响应），静态电流消耗极低，仅为 38 μA。
型号：TPS72015QDRVRQ1
封装：WSON-6
类型：低压差线性稳压器
产品特征：
输入电压范围： 1.1 V 至 4.5 V
输出电压范围：0.9 V 至 3.6 V 0.9 V 至 3.6 V
高性能 LDO：350 mA
低静态电流：38 μA
快速启动时间：140 μs
低压差：ILOAD = 350 mA 时为 110 mV
使用 2.2-μF 输出电容器时保持稳定
出色的负载瞬态响应： ILOAD = 0 mA 至 350 mA 时为 ±15 mV，耗时 1μs

STL8DN6LF6AG - 采用 PowerFLAT™ (5x6) 封装的 60V、27mOhm 汽车级双 N 通道 MOSFET 晶体管。
型号：STL8DN6LF6AG
封装：PowerFlat™（5x6）
类型：MOSFET 晶体管
产品属性：
配置：2 N-通道（双）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：27 毫欧 @ 9.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250µA
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型

FDBL86210-F085 是150V、169A N通道功率 MOSFET 晶体管，采用 H−SOF8L 封装。
型号：FDBL86210-F085
封装：H−SOF8L
类型：MOSFET 晶体管
产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：169A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：6.3 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：90 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5805 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）：500W（Tj）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型

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【元器件】TPS72015QDRVRQ1【低压差线性稳压器】，STL8DN6LF6AG【MOSFET 晶体管】FDBL86210-F085（供应，回收）
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【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！