30V 60V 100V 150V 200V耐压mos管 [惠海半导体] 100vmos管

发布时间:2024-3-13 16:56    发布者:惠海IC
关键词: MOS管

惠海半导体专业从事30-150V中低压MOS管的设计、研发、生产与销售,性价比高,量产稳定成熟,提供方案及技术支持。
惠海半导体MOS管采用SGT工艺,性能优越,品质好,具有高频率、大电流、低开启电压、低内阻、结电容小、低消耗、低温升、高转换效率、过电流大、抗冲击能力强、开关损耗小等的优点。
惠海半导体中低压场效率管(MOSFET
【惠海MOS管常规封装】SOT23-3TO-252SOP-8TO-220TO-263DNF3*3
【惠海MOS管常规型号】17N06 30N06 50N06 30N03 5N10 10N10 17N10 25N10 3400
【惠海半导体直销】30V 60V 100V mos3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mosSOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3*3封装mos

更多型号如下:
型号:HG160N10LS N沟道场效应管 丝印HC310 100V3A 3N10 SOT23-3封装 内阻200mR SGT工艺
型号:HG021N10L N沟道场效应管 丝印 HG25N10 100V25A T0-252封装 内阻25mR SGT工艺
型号:HG160N10LS N沟道场应管 丝印HC510 100V5A (5N10)SOT23-3封装 内阻155mR
型号:HG085N10L N沟道场效应管 100V15A SOT89 封装 内阻70mR
型号:HG160N10L N沟道场效应管 100V10A(10N10) TO-252封装 内阻145mR
30V 10A MOSTO-252封装10N50 MOS原厂库存现货TO252 89-5 SOT-23
HG10N30  30V 10A TO-252 N沟道 MOS-场效率管
HG15N10  15A  100V  N沟道 MOS-场效率管
HG35N06  35A 60V  N沟道 MOS-场效率管
HG50N06  50A 60V N沟道 MOS-场效率管
HG10N50  30V 10A TO-252 N沟道 MOS-场效率管
20V MOS N沟道  
HG05N20:20V 5.2A SOT-23 N沟道 MOS
30V MOS N沟道  
HG02N0330V 5.8A SOT23 N沟道 MOS
HG02N03002N0430V 20A SOT-89 N沟道 MOS
HG02N03002NL30V 10A TO-252 N沟道 MOS
HG02N032N03L30V 85A TO-252 N沟道 MOS
40V MOS N沟道  
HG02N03002N340V 10A SOP8 N沟道 MOS
60V MOS N沟道  
HG02N03002N5L: 60V 3A SOT23 N沟道 MOS
HG02N0305N03L60V 50A TO-252 N沟道 MOS
100V MOS N沟道   
HG02N035N03L: 100V 5A SOT-23 N沟道 MOS
HG02N039N03L: 100V 8A SOT-89 N沟道MOS
HG02N0300803L: 100V 3A SOT-23S N沟道MOS
HG02N03:100V 3A SOT-89 N沟道 MOS
HG02N0312N03L:100V 15A TO-252 N沟道 MOS

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