中汽创智首批自主研发SiC MOSFET正式下线
发布时间：2023-12-5 10:40
发布者：eechina
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来源：全球半导体观察整理 据“AUTOSEMO”消息，11月30日，中汽创智首批自主研发的1200V 20mΩ SiC MOSFET在积塔工厂正式下线。本款芯片采用平面栅型结构，具有独立自主的知识产权、自主设计的新型终端结构具有更高的工艺可靠性，在同等耐压水平下，体积更小，可应用于新能源汽车主驱逆变器等车载电源系统。 中汽创智表示，通过以SiC模块为切入点，快速形成SiC功率模块封装、测试能力和基于SiC技术的车载集成电源系统开发能力，逐步建立起从上游芯片设计、模块封装，到下游应用支持的“一站式” 能力。 现场，中汽创智和积塔半导体进行了战略合作签约。中汽创智称，此次与积塔半导体正式签署战略合作，进一步拉通了第三代半导体上下游资源，为中汽创智稳步实施虚拟IDM战略，实现车规级芯片自主研发和制造奠定坚实基础。 未来，中汽创智自主研发的1200V 40mΩ及80mΩ SiC MOSFET等产品将陆续与积塔半导体进行深度合作。中汽创智与积塔半导体等汽车芯片产业链优质资源将始终坚持强强联合、优势互补，以追求、引领行业趋势为发展方向，加速实现国产芯片的战略目标。 资料显示，中汽创智由中国一汽、东风公司、南方工业集团、长安汽车和南京江宁经开科技共同出资设立。 而积塔半导体在中国（上海）自由贸易试验区临港新片区和徐汇区建有两个厂区，已建和在建产能共计28万片/月（折合8英寸计算），其中6英寸7万片/月、8英寸11万片/月、12英寸5万片/月、SiC 3万片/月。 积塔半导体是国内较早具备SiC功率器件制造能力的企业，工艺技术平台覆盖JBS和MOSFET等，已建成自主知识产权的车规级650V/750V/1200V SiC JBS工艺平台、650V/750V/1200V SiC MOSFET工艺平台。 |
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