IC设计动能不足今年台半导体恐负成长

发布时间:2011-12-9 15:56    发布者:nansaudi
关键词: DRAM , 半导体
资策会产业情报研究所(MIC)表示,2011年全球半导体市场成长动能再度趋缓,3C终端应用的需求疲弱为主要原因;受到美国债信风暴冲击景气影响,预期2012年在欧美解决债务问题、中国大陆成长减缓等因素的影响,终端应用产品市场的长期成长力道将更加趋缓,全球半导体市场恐将长期维持缓步的成长步调。
根据资策会MIC 的资料统计,中国大陆2008年至2011年的半导体市场规模,占全球比重呈现稳定的成长趋势,但成长率相当缓慢,故无法带动全球半导体产业成长。预估 2012年全球晶圆代工的高阶领域竞争将愈来愈激烈,业者将不断扩充12寸产能,形成彼此的业务差异性低,而Samsung的进入将使竞争更加剧烈,而2x nm可望维持高毛利,已经成为领先大厂的兵家必争之地,台积电已率先抢占掌握部份2xnm客户。


资策会MIC产业顾问洪春晖表示,预估 2011年台湾半导体产值将出现负成长,年成长率为负10%,成长减缓原因来自上半年 IC设计业者成长动力不足,以及下半年 DRAM 的减产,是导致 2011年产值衰退的主要原因,但排除记忆体产业后,2012年台湾的半导体次领域产业的发展趋势,依然朝正向发展。


预估未来 12寸产能充足,将形成价格竞争,而8寸以下则会移往中国大陆利基领域发展,预期2012年低阶智慧型手机的快速成长,将带动 IC设计业市场,台湾业者可积极抢攻中国大陆商机。此外,平板装置的晶片需求与智慧型手机较接近,但是台湾IC设计厂商在后者的布局落后国际厂商,不容易藉着既有产品,趁势切入平板装置品牌,故短期内对于台于IC设计业的产值成长助益有限。
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