三星电子将在中国兴建20nm以下尖端制造工艺NAND闪存芯片生产线
发布时间：2011-12-8 08:02
发布者：eechina
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NAND
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据韩国媒体报道称，三星电子计划于2012年在中国大陆兴建下一代NAND闪存芯片生产线。据了解，NAND闪存是主要用于智能手机、平板电脑等通信终端的存储介质。目前，三星已向韩国知识经济部提交了申请书。韩国《朝鲜日报》12月7日刊文表示，“三星冒着技术外泄的风险在中国大陆建存储芯片生产线，是为了抢占跃升为世界最大芯片市场的中国市场”。三星方面则表示，中国的芯片竞争力已“明显下降”，没有必要过于担心技术外泄问题。 报道称，中国正逐渐成为世界最大的IT产品生产基地。目前，全球96%的平板电脑和37%以上的智能手机都在中国生产，这些产品的核心零配件——存储芯片的使用量也年年剧增。据市场调查公司Gartner的数据，今年中国的芯片使用量达到全球产量的30%，是世界最大的芯片消费国。 三星电子表示，计划在中国兴建采用20纳米级以下尖端制造工艺的内存芯片生产线。如果中国建厂计划获得批准，该工厂将是三星电子继美国德克萨斯州的奥斯丁工厂之后的第二家海外芯片制造工厂。对于在中国建厂的理由，三星电子方面介绍说：“公司对当地消费者的需求可以做到快速反应及高效应对。” 不过，韩国有舆论担忧，三星电子在中国建厂后，其确保的技术可能会泄露给中方。 《朝鲜日报》指出，芯片是国家需要保护的核心技术。2005年，海力士半导体为躲避美国和欧洲政府的反倾销制裁措施，表示要在中国无锡建设高科技芯片生产线，而当时反对最强烈的就是三星电子。 三星电子当时反驳称：“韩国的芯片技术可能会通过在海力士无锡工厂工作的中国工人泄露到中国。”但三星现在却一改以往的立场要在中国建厂，是因为认为技术外泄的风险并不大。虽然海力士半导体工厂已在中国运营了6年时间，但从未发生过技术外泄。这是因为，虽然芯片生产是在中国进行，但所有研发工作都在韩国京畿道利川总部进行。 三星电子方面表示：“中国的芯片竞争力明显下降，实际上已经放弃了芯片产业。因此没有必要过于担心技术外泄问题。”《朝鲜日报》也报道称，“中国自2000年以后，对芯片事业投入了巨额资金，但直到目前为止还没有一家企业盈利”。 《朝鲜日报》还分析称，“中国目前没有闪存芯片生产线，而中国又是世界NAND闪存芯片需求最多的国家。因此，中方很有可能给予三星电子各种优惠政策”。 |
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