三星确认将从第10代V-NAND开始采用长江存储的专利技术
发布时间：2025-2-25 09:37
发布者：eechina
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据韩媒报道，三星电子已确认将从其第10代V-NAND（V10）开始，采用中国长江存储科技有限责任公司（YMTC）的专利技术，特别是在先进的“混合键合”技术方面。 三星计划于2025年下半年开始量产V10 NAND产品，预计堆叠层数将达到420至430层。随着堆叠层数的增加，传统技术（如COP技术）在超过400层时面临底层外围电路压力过大、影响可靠性和性能的问题。为解决这一问题，三星决定在V10 NAND中引入长江存储的“晶栈（Xtacking）”混合键合技术。 “晶栈（Xtacking）”技术通过直接贴合两片晶圆，无需传统凸点连接，从而缩短电气路径，提升性能和散热能力。长江存储早在四年前就已将混合键合技术应用于3D NAND制造，并建立了强大的专利布局。三星在之前的NAND闪存中采用COP（Cell on Peripheral）结构，但随着层数增加，下层外围电路的压力会影响可靠性。因此，三星选择通过专利授权的方式与长江存储达成合作，以降低法律风险并加速技术研发进程。 业内人士指出，混合键合技术的关键专利主要掌握在美国Xperi、长江存储和台积电手中。三星认为，在下一代NAND闪存（如V10、V11和V12）的生产中很难绕过长江存储的专利，因此选择通过许可协议的方式达成合作。 这一合作不仅有助于三星在400层以上NAND闪存产品的研发和生产上节省时间和成本，快速提升产品竞争力，也标志着长江存储在全球3D NAND技术领域的重要地位进一步提升。此外，SK海力士等其他国际存储巨头也可能跟进，与长江存储签署类似的专利授权协议。 |
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