国产碳化硅MOS管和模块,助力新能源汽车

发布时间:2022-4-27 11:43    发布者:碳化硅MOS
关键词: 碳化硅 , SIC MOS , 模块 , 新能源汽车 , 比亚迪
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       如果说特斯拉在2018年正式打响了碳化硅上车的“发令枪”,现在新能源汽车市场应该比以往任何时候都更加逼近规模化上车。
据不完全统计,比亚迪、吉利、现代、广汽、小鹏等都发布了搭载800V高电压平台的车型,部分车企已经在2022年量产。这场高压快充升级革命,正在系统性革新上游供应链,其中功率器件作为重要参与部件,引发了二级市场对碳化硅等化合物半导体前所未有的追捧,2021年以来迎来多轮轮番炒作,Wind第三代半导体指数2021年全年涨幅超50%,另一方面,在新能源汽车市场,碳化硅到底能多大程度替代硅半导体市场,也同样值得探讨。

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值得一提的是,高压化的趋势同时要求充电桩的部件性能重新适配,这也成为功率半导体重要的应用市场。一台500KW以上的超充桩需要的功率半导体数量在500个以上,在全桩半导体中价值量占比达80%以上。目前硅基半导体应用较为普遍,虽然硅基也能满足高电压的性能要求,但效率和体积相比SiC仍存在差距。另一方面,国内自主品牌和造车新势力的崛起或将为本土供应商带来机会。据了解,吉利汽车、长城汽车等自主品牌甚至参投国内第三代半导体厂商以绑定产能,本土化采购渐成趋势。不过,碳化硅上车进程刚刚开始,目前局限于部分中高端车型。汽车独立分析师张翔向表示,SiC半导体目前成本仍然偏高,且车端应用需要通过2-3年的车规认证,“一些车企现在拿出SiC的相关技术,更多是作为一种营销手段,并没有真正推出量产车型。”另外,半导体厂商下订单需要一定量的支撑,比如特斯拉Model 3已经达到约40万辆的销量,而市面上在10万辆以上年销量的车型屈指可数,当新能源汽车加速上量,就能反向助推碳化硅成本下降。

成本替代的转折点需要同时考虑碳化硅器件的价格和节约的电池成本。当碳化硅模组价格下降到硅基模组的2倍左右时,系统性价比就会凸显,这个时点可能发生在2025年,届时将有大量主流车型普遍使用。


电子器件厂商角度来看,碳化硅方案的成本下降趋势是明确的。“碳化硅在主驱的应用效果是最好的,带来成本下降也是最显著的”,碳化硅与硅基衬底的成本差距在逐步缩小,已经从几年前4倍左右下降到平均2-3倍左右。设备厂商力挺长期碳化硅、氮化镓等生产成本下降的趋势,从设备端来看,预计2023年还可以继续下降25%左右的成本,进一步缩减碳化硅与硅基的成本差。此外,供应链安全也是车企愿意尝鲜的因素之一。投资人士称,目前车企还是更倾向于国外厂商,英飞凌等国际巨头短时间内难以超越,出于安全考虑可能会把一部分供应链放在国内,“不能把鸡蛋放在同一个篮子里”,这对国内厂商是个机会,但是也要徐徐而图之。   
我司专注于第三代半导体碳化硅(SiC) MOS 芯片设计、功率模块的生产制造及其基于 SiC 器件在新能源领域 的应用系统开发方案,由武岳峰资本及国内多家知名投资机构投资数 亿元,中国科学院及清华大学博士领军,数十位半导体行业资深人士 共同组建的高科技技术创新性企业。公司拥有全自主知识产权,已申请 25 项专利技术,采用 6 英寸技 术已量产 20 余款 650V~3300V 全系列 SiC MOSFET 产品,并建立起 车规级的 SiC MOS 模块工厂,可为客户提供整套应用解决方案。产品 已大量出口欧洲和美国客户。
    产品已通过IATF16949和ISO9001质量体系双重认证。产品已得到:美国通用 ,厦门金龙, 吉利,长安,BYD等车企的认可和支持,国产碳化硅MOSFET和模块的国产化,迈向新的征程。
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碳化硅产品手册.pdf (894.83 KB)





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碳化硅MOS 发表于 2022-9-30 10:17:23

采用SiC技术,车载双向OBC体积可减小20%以上,节省了电动汽车空间\重量,除了能够降低系统成本,整车系统也更容易实现多合一小型集成化。同时,碳化硅方案比普通双向OBC效率高2%-3%。

  车载充电机一般为两级电路,前级为图腾柱无桥PFC(Power Factor Correction)级,后级为DC/DC级。

● 单相一般采用BOOST结构,建议使用650V 、1200V--30A、60A等规格, TO247封装

● 三相一般采用VIENNA结构,建议使用1200V--30A、60A、100A等规格, TO247封装

● LLC中,如果OBC最高输出电压<550V,建议使用650V--30A、60A等规格, TO247封装

如果最高输出电压>550V,建议使用1200V--30A、60A等规格,TO247封装。


碳化硅产品资料-2022-9.pdf (859.81 KB)

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