Vishay推出新型650 V SiC肖特基二极管，提升高频应用能效
发布时间：2021-1-28 10:44
发布者：eechina
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器件额定电流4 A~40 A，采用MPS结构设计，降低开关损耗和温变影响 Vishay推出十款新型650 V 碳化硅（SiC）肖特基二极管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）结构设计，通过降低开关损耗提升高频应用能效，不受温度变化的影响—从而使二极管能够在更高的温度下工作。 
日前发布的MPS二极管可屏蔽肖特基势垒产生的电场，减少漏电流，同时通过空穴注入提高浪涌电流能力。与硅肖特基器件相比，新型二极管处理电流相同的情况下，正向压降仅略有上升，坚固程度明显提高。 器件适用于服务器、电信设备、UPS和太阳能逆变器等应用领域的功率因数校正（PFC）续流、升降压续流和LLC转换器输出整流，为设计人员实现系统优化提供高灵活性。二极管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封装，额定电流为4 A~40 A，可在+175 C高温下工作。 器件规格表：
新型SiC二极管现可提供样品并已实现量产，供货周期为10周。 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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