Intel高级院士曝光自家10nm工艺：集成度比优于对手
发布时间：2017-1-5 11:06
发布者：eechina
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来源：驱动之家 台积电和三星纷纷量产10nm，而曾经作为半导体工艺技术龙头的Intel却动作迟缓，待在14nm上不肯动弹了，10nm目前看最快最快也得2018年下半年。 那么，真的是Intel在技术上黔驴技穷了？ 显然不是。Intel在最新一期的半导体行业权威刊物《IEEE Spectrum》上撰文，畅谈了自己的10nm工艺，尤其是在技术、成本方面的巨大优势。 Intel高级院士Mark Bohr表示，Intel 10nm工艺的晶体管密度不但会超过现在的Intel 14nm，还会优于其他公司的10nm，也就是集成度比他们更高，栅极间距将从14nm工艺的70nm缩小到54nm，逻辑单元则缩小46％，这比以往任何一代工艺进化都更激进。 他说：“本代工艺和相关产品要传达的一个重要信息，就是希望能够打消行业对于摩尔定律将死的忧虑。” Intel在技术上的实力其实根本不用怀疑，那么是不是成本限制了10nm？Mark Bohr也谈到了这一点，明确表示Intel 10nm晶圆的整体成本确实会高于14nm，但是平均到每个晶体管上会更低。 和每一代新工艺一样，10nm也能提高晶体管的运行速度，或者降低能耗，但更重要的显然是后者。 Mark Bohr表示：“这些新工艺的首要目标确实是降低能耗，或者说提高能效，只有这样才能在服务器芯片内加入更多核心，或者在GPU内加入更多执行单元，然后才是降低晶体管成本。” 目前，台积电、GlobalFoundries（AMD）、三星等都在积极筹划7nm，Intel的似乎还很遥远。 Mark Bohr对此表示，如果从10nm过渡到7nm会花更长时间，那么最重要的就是想方设法增强已有技术，每年带来新产品。 这似乎意味着，在未来至少五年左右的时间里，Intel仍会坚持当前的产品研发和发布策略，不会变的太激进。 |
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