武汉新芯3D NAND研发取得重要进展
发布时间：2015-5-12 11:04
发布者：eechina
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武汉新芯今日宣布其3D NAND项目研发取得突破性进展，第一个具有9层结构的存储测试芯片通过存储器功能的电学验证。 2014年年底，武汉新芯公司与存储器领域的世界级研发团队Cypress (原Spansion)组建了联合研发团队，开始了3D NAND项目的研发工作。通过各方团队的并肩合作和倾力攻坚，该项目正按照原计划高效地向前推进，半年时间内，在工艺制程开发及测试验证上取得了阶段性的成功。 “凭借研发团队强大的技术能力和高效的执行力，我相信3D NAND项目的后续研发及量产工作将继续顺利地进行。”武汉新芯执行长杨士宁博士表示，“此次取得重大进展，表明我们开始掌握世界最前沿科技领域的核心技术，并逐渐建立完全自主可控的知识产权，迈入了国际3D NAND技术的竞争行列。我们有信心将自主研发的3D NAND产品按时推向市场。” 武汉新芯在研发团队的创新力与执行力得益于长期与中科院微电子研究所展开紧密的合作。在3D NAND项目上，双方采用了创新的合作模式， 即将双方的专家在研发项目与人力资源的管理上，在企业的平台上合为一体。这一模式将中科院微电子所深厚的理论背景与武汉新芯丰富的制造和研发经验有机地相结合，不仅增强了国际合作中的中方团队的实力，为研究成果共享奠定了坚实的基础，也为国内推广“产学研用”相结合，提供了方法科学且可行的样板。 |
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