ST推出新款汽车质量级碳化硅 (SiC) 二极管
发布时间：2014-12-17 13:36
发布者：eechina
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新款碳化硅 (SiC) 二极管提高涌流-标称电流比，是应对逆变器小型化挑战的理想选择 意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）推出新款汽车质量级碳化硅 (SiC) 二极管，以满足电动汽车和插电式混合动力汽车 (PHEV, Plug-in Hybrids) 等新能源汽车对车载充电器 (OBC, on-board battery chargers) 在有限空间内处理大功率的苛刻要求。 ST推出新款汽车质量级碳化硅 (SiC) 二极管 
这些二极管让设计人员能够研发更小的电源模块，这不仅对汽车电源系统有益，还使其成为克服Google和IEEE提出的逆变器小型化挑战的关键选择。Google出资高达100万美元奖金征集比现有逆变器的十分之一还小，且适合各种应用领域，特别是太阳能微型发电机 (solar micro-generator) 的千瓦级逆变器设计；意法半导体是这项公开挑战赛的合作厂商。 新款二极管采用先进技术，防止大脉冲电流 (high-current spikes) 烧毁装置。为了安全起见，设计人员至今还在超额使用二极管。意法半导体开发的新产品彻底改变了这一局面，过流保护值是额定电流值的2.5倍，因此设计人员可选用更小、更经济且可靠性和能效都不会受到影响的电流更小的二极管。 意法半导体的新碳化硅二极管通过汽车级产品测试，极性接反击穿电压提高到650V，能够满足设计人员和汽车厂商希望降低电压补偿系数 (voltage derating factor) 的要求，以确保车载充电半导体元器件的标称电压与瞬间峰压 (peak voltage) 之间有充足的安全裕度 (safety margin)。 碳化硅作为宽带隙 (WBG, Wide Band-Gap) 技术，具有众所周知的能效优势；相对于元器件本身的尺寸，比较开关损耗 (switching loss) 和额定电压 (voltage rating) 两项参数，新产品均优于传统硅二极管。这次推出的650V二极管包括TO-220AC功率封装的10A STPSC10H065DY和 TO-220AC封装的12A STPSC12H065DY。此外，TO-220AB封装的STPSC20H065CTY和TO-247封装的STPSC20H065CWY是内置2个10A二极管的双管产品 (dual-diode)，可最大限度提升空间利用率，降低车载充电器的重量。 所有新产品均已量产，可立即供货。详情请访问：www.st.com/sic-auto-diodes |
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