瑞斯特(RST) MBR4060A是一款采用平面工艺(Planar Process)制造的双共阴极肖特基势垒整流器,额定参数为40A平均整流电流、60V峰值重复反向电压,内部集成两个独立的肖特基二极管管芯,共用中间 ...
瑞斯特(RST) MBR4060F是一款采用TO-220F全塑封封装的大电流平面肖特基势垒整流器,属于40A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造,采用硅外延平面工艺, ...
瑞斯特(RST) MBR4060W是一款采用TO-247S大功率封装的大电流平面肖特基势垒整流器,属于40A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造,采用硅外延平面工艺, ...
瑞斯特(RST) MBR6045W是一款采用TO-247S大功率封装的大电流平面肖特基势垒整流器,属于60A/45V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造,采用硅外延平面工艺, ...
瑞斯特(RST) MBR6060F是一款采用TO-220F全塑封封装的大电流平面肖特基势垒整流器,属于60A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造,采用硅外延平面工艺, ...
作者: Hermogenes Escala,ADI应用工程师
摘要
在电源设计中,良好的热管理是确保可靠性、高效率和长寿命的关键。随着功率密度的提升,有效的散热对于防止过热和元器件失效至关重要。本文 ...
瑞斯特(RST) MBR6060A是一款采用TO-220A金属片散热封装的大电流平面肖特基势垒整流器,属于60A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造,采用硅外延平面工 ...
瑞斯特(RST) MBR6060W是一款采用TO-247S大功率封装的大电流平面肖特基势垒整流器,属于60A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造,采用硅外延平面工艺, ...
瑞斯特(RST) MBR10100E是一款采用TO-263贴片封装的大电流平面肖特基势垒整流器,属于10A/100V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造,采用硅外延平面工艺,芯 ...
MBR10150E是瑞斯特(RST)推出的一款10A/150V平面肖特基势垒整流器,采用金属-半导体(M-S)接触结构,利用多数载流子导电机制实现低正向压降与快速开关特性。该产品内部集成双肖特基二极管共阴极(C ...
瑞斯特(RST) MBR10100F是一款采用平面肖特基势垒结构的10A/100V肖特基整流二极管,其内部为共阴极双二极管结构,包含两个独立的肖特基二极管单元,阳极分别引出至引脚1和引脚3,公共阴极连接至 ...
MBR10200A是瑞斯特(RST)推出的一款10A/200V平面肖特基势垒整流器,采用金属-半导体(M-S)接触结构,利用多数载流子导电机制实现低正向压降与快速开关特性。该产品内部集成双肖特基二极管共阴极(C ...