瑞斯特(RST) MBR3060A是一款采用TO-220A金属片散热封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于30A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工 ...
瑞斯特(RST) MBR3060W是一款30A级平面肖特基势垒整流二极管，采用TO-247S封装，属于双二极管共阴极结构。该器件基于金属-半导体结原理制造，在25°C环境温度下，峰值重复反向电压VRRM为60V，平 ...
瑞斯特(RST) MBR3060E是一款采用TO-263贴片封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于30A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片 ...
瑞斯特(RST) MBR3060F是一款采用TO-220F全塑封绝缘封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于30A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工 ...
瑞斯特(RST) MBR4045A是一款采用TO-220A金属片散热封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于40A/45V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工 ...
瑞斯特(RST) MBR4045F是一款采用平面工艺（Planar Process）制造的双共阴极肖特基势垒整流器，额定参数为40A平均整流电流、45V峰值重复反向电压，内部集成两个独立的肖特基二极管管芯，共用中间 ...
瑞斯特(RST) MBR4045E是一款40A级平面肖特基势垒整流二极管，采用TO-263表面贴装封装，属于双二极管共阴极结构。该器件基于金属-半导体结原理制造，在25°C环境温度下，峰值重复反向电压VRRM为4 ...
作者：Frederik Dostal，电源管理专家
摘要
本文说明了开关电源不同控制方案的优缺点，并阐述了电流模式控制、电压模式控制和滞回模式控制。文章提供了关于如何选择开关电源IC的建议。
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瑞斯特(RST) MBR2060F是一款20A级平面肖特基势垒整流二极管，采用TO-220F全塑封装，属于双二极管共阴极结构。该器件基于金属-半导体结原理制造，在25°C环境温度下，峰值重复反向电压VRRM为60V ...
瑞斯特(RST) MBR3045A是一款采用TO-220A金属片散热封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于30A/45V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工 ...
作者：Camille Bianca Gomez，高级产品应用工程师
摘要
在现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)和其他基于多轨处理器的系统中，随着电源时序规则愈发严格、时序要求日益精准、电压 ...
瑞斯特(RST) MBR4060E是一款采用TO-263贴片封装的大电流平面肖特基势垒整流器，属于40A/60V规格等级的双二极管共阴极结构器件。该器件基于金属-硅肖特基势垒原理制造，采用硅外延平面工艺，芯片 ...
