大联大旗下友尚推出基于达尔科技（Diodes）AP3306、APR3401和AP43771H控制器的140W PD3.1 GaN充电器方案。
图示1-大联大友尚基于Diodes产品的140W PD3.1 GaN充电器方案的展示板图
如今 ...
第五代标志性开关IC产品系列可在经典反激式架构中实现高达175W的输出功率和92%的效率
Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今天宣布推出TinySwitch-5，将广受欢迎的集成离线式开关I ...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）扩展旗下XDP 数字保护产品系列，推出 XDP711-001。这是一款拥有 48 V 宽输入电压范围的数字热插拔控制器，具备可编程安全操作区域（SOA） ...
目前，许多工业应用正朝着更高功率水平、且功率损耗最小化的方向发展，实现这一目标的方法之一是提高直流母线电压。针对这一市场趋势，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公 ...
大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基于英诺赛科（Innoscience）InnoGaN INN650TA030C、INN650TA050C、INN100EQ016A以及INS1001DE芯片的2KW 48V双向AC/DC储能电源方案。
图示1-大联大诠鼎基 ...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）宣布推出新一代高密度功率模块，该模块将在实现AI和高性能计算方面发挥关键作用。全新OptiMOS TDM2454xx四相功率模块通过提升系统性能并结 ...
~实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围~
ROHM（总部位于日本京都市）面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。
新产品共3 ...
性能强大的芯片组采用紧凑、高效散热的封装，可实现高达98%的效率
Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日推出新款HiperLCS-2芯片组，可实现输出功率翻倍。新器件采用更高级的半 ...
大联大旗下品佳推出基于英飞凌（Infineon）XMC1404 MCU、IMBG65R048M1H CoolSiC MOSFET、IPDQ60R010S7 CoolMos MOSFET以及2EDS9259X栅极驱动IC的3.3KW双向图腾柱PFC数字电源方案。
图示1- ...
40 A至240 A双二极管和单相桥式器件正向压降低至1.36 V，QC仅为56 nC
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出16款采用工业标准SOT-227封装的新型650 V和1200 ...
氮化镓（GaN）技术在提升功率电子器件性能水平方面起到至关重要的作用。但目前为止，GaN供应商采用的封装类型和尺寸各异，产品十分零散，客户缺乏兼容多种封装的货源。为了解决这个问题，全球功 ...
大联大旗下诠鼎推出基于英诺赛科（Innoscience）InnoGaN INV100FQ030C VGaN器件的48V/120A BMS方案。
图示1-大联大诠鼎基于英诺赛科产品的48V/120A BMS方案的展示板图
BMS（电池管理系 ...
