～ 无微机且低功耗，有助于节省空间 ～
美蓓亚三美株式会社(MinebeaMitsumi Inc.) 旗下的艾普凌科有限公司（总裁：田中诚司，总部地址：东京都港区，下称“ABLIC”）今天推出用于电池简易余 ...
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓（GaN）开关——650 V CoolGaN G5双向开关（BDS）。该产品采用共漏极设计和双栅极结构， ...
一支研究团队在锌空气电池（ZABs）领域取得重要进展，通过开发新型双原子催化剂（DACs），显著提升了电池的氧还原反应（ORR）效率，使其在能量密度、循环寿命等方面表现优异，有望推动该技术的 ...
南芯科技（证券代码：688484）宣布推出带控制引脚的锂电保护芯片 SC5617E，有助于解决硅负极电池的应用痛点。SC5617E 面向单节锂电池充放电，具备高精度、低功耗和智能控制三大优势，为手机、平 ...
ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*2低至2.0mΩ（Typ.），达到业界先进水平。
新产品采用ROHM ...
大联大旗下世平推出以晶丰明源（BPS）LKS32MC453 MCU和杰华特（JOULWATT）JW3376 AFE芯片、JW3330高边驱动器、JWH5140F单片降压开关稳压器、JW7806 LDO稳压器为主，辅以芯迈（Silicon Magic）SD ...
随着AI数据中心的快速发展、电动汽车的日益普及，以及全球数字化和再工业化趋势的持续，预计全球对电力的需求将会快速增长。为应对这一挑战，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IF ...
提供 1.9 A拉电流和 2.3 A灌电流输出，以实现稳健的栅极驱动性能并提高开关效率
Littelfuse公司（NASDAQ：LFUS）推出高压侧和低压侧栅极驱动器IXD2012NTR，设计用于驱动两个采用半桥配置的N ...
为推动下一代固态配电系统的发展，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出了新型CoolSiC JFET产品系列。新系列产品拥有极低的导通损耗、 ...
该器件集成I2C和PMBus接口，可实现灵活配置与监控
边缘人工智能正推动集成度与功耗的持续增长，工业自动化和数据中心应用亟需先进的电源管理解决方案。Microchip Technology Inc.（微芯科技 ...
这些器件薄至0.88 mm并采用易于吸附焊锡的侧边焊盘，在节省空间的同时，提供了更高的热性能和效率
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出27款标准型和沟槽式MOS势 ...
超结器件支持高额定功率和高密度，同时能够降低传导和开关损耗，从而提高效率
威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）推出新的Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET---SiHK05 ...
