电源技术新品列表

英飞凌 EiceDRIVER 半桥闸极驱动器系列新增 Compact 类别

英飞凌 EiceDRIVER 半桥闸极驱动器系列新增 Compact 类别

在下周举行的 PCIM 2013 功率电子贸易展中,英飞凌科技股份有限公司将展示全新的2EDL EiceDRIVER Compact半桥闸极驱动器,该产品适用于阻断电压为600伏的应用。由于配备了极快速的阴极负载二极 ...
2013年06月13日 14:27   |  
半桥   闸极驱动器   EiceDriver  
TI最新MaxLife快速充电技术延长锂离子电池使用寿命

TI最新MaxLife快速充电技术延长锂离子电池使用寿命

最新电池电量监测计与充电器芯片组采用 MaxLife 技术,可帮助客户在不损耗电池的情况下快速充电 德州仪器 (TI) 宣布推出采用 TI 最新专利 MaxLife 快速充电技术的两款电源管理芯片组,其可帮 ...
2013年06月08日 09:21   |  
电池寿命   锂离子电池   快速充电  
Vishay的新款FRED Pt 超快恢复整流器

Vishay的新款FRED Pt 超快恢复整流器

日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布推出10款可焊的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast快恢复整流器,其中包括业界首款采用SMA封装3A器件,采用SMB封装的3A和4A器件,以及采用SMC封装的4A和5A器 ...
2013年06月06日 21:00   |  
Vishay   整流器  
凌力尔特推出静态电流仅2.7μA的60V、3A (IOUT)、2MHz 降压型 DC/DC 转换器

凌力尔特推出静态电流仅2.7μA的60V、3A (IOUT)、2MHz 降压型 DC/DC 转换器

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出静态电流只有 2.7μA 的 3A、60V 降压型开关稳压器 LT3995。该器件的 4.3V 至 60V输入电压范围使其非常适用于汽车、商用车辆、航空电子和工 ...
2013年06月06日 13:51   |  
降压型   DC-DC  

飞思卡尔推六款TD-LTE基站全新Airfast RF功率解决方案

2013年6月3日,高功率射频(RF)功率晶体管领域全球领导者飞思卡尔半导体公司(纽约证券交易所代码:FSL)日前推出六款新的Airfast RF功率解决方案,专为2.3/2.6 GHz频段的TD-LTE基站设 ...
2013年06月05日 22:26   |  
飞思卡尔   TD-LTE   RF  
飞兆半导体 100V BOOSTPAK 解决方案提高了可靠性,降低了 LED 应用中的系统成本

飞兆半导体 100V BOOSTPAK 解决方案提高了可靠性,降低了 LED 应用中的系统成本

集成解决方案将 MOSFET 和二极管置于一个封装内,简化了电路板装配并节省了空间 飞兆半导体公司通过引入 100 V BoostPak 设备系列优化 MOSFET 和二极管选择过程,将 MOSFET 和二极管集成在一 ...
2013年06月05日 18:38   |  
BOOSTPAK   LED背光   LED照明  
Power Integrations推出针对紧凑型消费电子产品和PC应用的高集成度PFC IC

Power Integrations推出针对紧凑型消费电子产品和PC应用的高集成度PFC IC

HiperPFS-2 IC集成了高效率控制器、MOSFET和升压二极管;有助于节省空间、提高可靠性和降低成本 Power Integrations公司推出HiperPFS-2产品系列 - 一款全新的适用于100 W至380 W应用的高效率 ...
2013年06月05日 18:16   |  
PFC   HiperPFS  
安森美推出两款新的LGA封装MOSFET器件 提升智能手机及平板电脑效能和电池使用时间

安森美推出两款新的LGA封装MOSFET器件 提升智能手机及平板电脑效能和电池使用时间

单节及双节锂离子电池充电/放电保护电路因高性能倒装芯片MOSFET而受益 安森美半导体 (ON Semiconductor) 推出两款新的MOSFET器件,用于智能手机及平板电脑应用,作为锂离子电池充电/放电保护 ...
2013年06月05日 18:14   |  
锂离子电池   MOSFET  

凌力尔特发布噪声仅为 25μVRMS、具可编程电流限制和诊断信息功能的 45V 500mA LDO

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高电压、低噪声、低压差线性稳压器 LT3055,可提供精准、可编程电流限制和诊断功能。该器件在满负载时可提供高达 500mA的输出电流和一个 350 ...
2013年06月04日 15:06   |  
LDO  
Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道功率MOSFET家族

Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道功率MOSFET家族

新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术,导通电阻低至30mΩ、电流达6A~105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度 Vishay E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封 ...
2013年06月04日 15:03   |  
N沟道   功率MOSFET  
IR推出采用SOT-23-5L封装的IRS44273L紧凑型低侧栅极驱动IC

IR推出采用SOT-23-5L封装的IRS44273L紧凑型低侧栅极驱动IC

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出采用SOT-23-5L高精密封装的IRS44273L低侧栅极驱动IC,能够有效提供高驱动能力。 IRS44273L易于使用,为IGBT及MOSFET栅极驱动器提供简 ...
2013年06月04日 10:19   |  
栅极驱动   IGBT   MOSFET  
IR推出60V IR4321M 和IR4322M集成式功率模块,扩充PowIRaudio系列

IR推出60V IR4321M 和IR4322M集成式功率模块,扩充PowIRaudio系列

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出单通道IR4321M和双通道IR4322M集成式功率模块以扩充PowIRaudio系列。全新60V IR4321M和IR4322M与现有产品相辅相成,为汽车音响系统、桌 ...
2013年05月29日 14:20   |  
音响   PowIRaudio   功率模块  

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