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电源技术新闻列表

Linear推出LTC3872的H级版

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC3872 的 H 级版本,该器件是一款占板面积很小的 550kHz 固定频率升压型 DC/DC 控制器,规定在 -40°C 至 150°C 的节温范围内工作。LTC3 ...
2011年04月08日 11:03   |  
H级版   Linear   LTC3872  

TI 15/25 A 降压转换器以业界最小的封装实现最高的功率密度与效率

德州仪器 (TI) 推出集成FET 的业界最小型、最高效率的降压转换器,可为电信、网络以及其它应用提供高达 25 A 的电流。如欲了解产品详情,敬请访问:www.ti.com.cn/tps56221-pr。 25 A、14 V ...
2011年04月08日 09:52   |  
DC-DC   降压转换  

德州仪器15A与25A SWIFT降压转换器实现小封装高效率

日前,德州仪器 (TI) 日前宣布推出集成FET 的业界最小型、最高效率的降压转换器,可为电信、网络以及其它应用提供高达 25 A 的电流。如欲了解产品详情,敬请访问:www.ti.com.cn/tps56221-pr。 ...
2011年04月07日 19:02   |  
SWIFT降压转换器   德州仪器  

IR推出IR3550 PowIRstage 60A额定电流器件 以最小尺寸实现最大电流和最高效率

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出集成式PowIRstage 产品系列的第一个产品IR3550,比竞争对手的解决方案提供更高效率和更出色的热性能。该产品除了拥有最小的占位面积外, ...
2011年04月01日 10:27   |  
DC-DC   同步降压  

Vishay新款N沟道功率MOSFET再次刷新业内最低导通电阻记录

Vishay发布新款40V和60V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。两款器件采用SO-8或PowerPAK SO-8封装,具有业内最低的导通电阻,以及最低的导通电阻与栅极电荷乘积,即优值系数。 ...
2011年03月31日 18:02   |  
N沟道   功率MOSFET  

凌力尔特推出双输出高效率同步降压型DC/DC控制器

  凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出双输出高效率同步降压型 DC/DC 控制器 LTC3880/ -1,该器件具有基于 I2C 的 PMBus 接口以用于数字电源系统管理。LTC3880/-1 兼有最佳模 ...
2011年03月24日 22:29   |  
凌力尔特  

升特推出3A易用器件扩展其EcoSpeed稳压器平台

产品特性   升特公司发布了一款5.5V到24V输入电压,输出电流为3A的集成降压稳压器——SC410,扩展了其高性能EcoSpeed稳压器平台。新产品SC410 的加入,使升特公司现有的EcoSpeed稳压器平台能 ...
2011年03月22日 17:40   |  
3A易用器件   EcoSpeed稳压器   升特  

Vishay大幅扩充TMBS整流器产品线

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,对其使用Trench MOS势垒肖特基技术的TMBS®整流器产品组合进行大幅扩充。Vishay今天共发布采用4种封装类型、电流等级从10A ...
2011年03月21日 23:58   |  
TMBS整流器产品   Vishay  

2011中国光伏产业发展报告【图表】

   全球不断增长的能源需求对每个国家提出了两个严峻挑战:气候变化和能源安全。世界各国政府正在采取行动应对这些挑战。IEA(国际能源署)在《世界能源展望2010》(World Energy Outlook 2010) ...
2011年03月21日 11:27   |  
发展报告   中国光伏产业  

安森美推出多款新LDO线性稳压器 含超小XDFN封装器件

安森美半导体(ON Semiconductor)推出3种新系列的宽输入电压、低压降(LDO)线性稳压器。公司广受欢迎的NCP58x系列也增加新器件,进一步增强了公司在此领域的强劲实力。 这些互补金属氧化物半导 ...
2011年03月18日 07:58   |  
LDO   稳压器  

挖掘功率器件商机,深圳青铜剑发力IGBT有源智能驱动

随着可再生能源、轨道交通、智能电网、电动汽车等新兴产业的走热,带动了功率器件的需求增长,其中比较有代表性的器件是IGBT,据称未来IGBT 的年复合增长率会在25%以上,这引发了产业对IGBT器件 ...
2011年03月16日 10:01   |  
IGBT  

最小型的TrenchFET功率MOSFET【Vishay】

最小型的TrenchFET功率MOSFET【Vishay】   SiA444DJT在2mmx2mm占位面积内具有N沟道MOSFET当中最低的外形;SiA429DJT是具有最低导通电 ...
2011年03月15日 07:54   |  
MOSFET   Vishay   功率  

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