电源技术新闻列表

Vishay推出12个具有三种功率封装的45V器件

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出12个具有三种功率封装的45V器件,这些器件具有10A~60A的宽电流等级,扩充了其TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。这 ...
2011年06月16日 14:10   |  
ITO-220AB   T1045CBP   T6045CBP   TO-220AB   Vishay  

ST推出首款符合卫星和运载火箭要求的抗辐射功率MOSFET

随着全球对卫星通信、卫星电视、卫星天气预报及卫星地理数据的需求不断升温,意法半导体(STMicroelectronics,简称ST) 推出首款完全符合卫星和运载火箭电子子系统质量要求的功率系列产品。 ...
2011年06月15日 14:09   |  
功率MOSFET   航天   抗辐射  

ANADIGICS为三星电子供应AWC6323双频低功耗高效率功率放大器

ANADIGICS, Inc. (纳斯达克股票代码:ANAD) 是全球首屈一指的射频 (RF) 解决方案供应商。该公司今日宣布开始为三星电子的Droid Charge智能手机批量供应AWC6323双频低功耗高效率 (HELP3E™) ...
2011年06月08日 12:32   |  
ANADIGICS   AWC6323   三星电子  

ANADIGICS宣布开始向高通批量供应新型多频带功率放大器

ANADIGICS, Inc. (纳斯达克股票代码:ANAD) 是全球首屈一指的射频 (RF) 解决方案供应商。该公司今日宣布开始批量供应其针对高通 (Qualcomm) Gobi™3000模块的AWT6521多模式功率放大器 (PA) ...
2011年06月08日 11:55   |  
ANADIGICS   MDM6200   MDM6600   多频带功率放大器   高通  

2010年中国功率MOSFET市场增长43% 但今年难以保持这样的高速度

作者:ALEX LIU 据IHS iSuppli公司的研究,2010年中国功率MOSFET市场快速增长,销售额达到23亿美元,比2009年的16亿美元增长43%。 直到去年第三季度,功率MOSFET在2010年多数时间都处于 ...
2011年06月07日 14:04   |  
功率MOSFET  

无线充电市场井喷!2011年预计增长逾600%

作者:TINA TENG 据IHS iSuppli公司的研究,尽管仍有一些因素妨碍大众市场的接受,但2011年无线充电设备的销售额将剧增616%。 无线充电可以让消费者在给消费电子产品充电时摆脱专用电源适 ...
2011年06月07日 10:26   |  
无线充电  

德光伏电池效率达19.5% 刷新多晶硅电池纪录

德国Q-Cells研发了效率达19.5%的光伏电池,Q-Cells称,这项研究已在弗劳恩霍夫独立校准实验室得到证实,刷新了多晶硅电池的新纪录。 Q-Cells技术研发部副总理Peter Waver表示,该太阳能电池 ...
2011年06月07日 09:47   |  
电池   光伏  

Fairchild MOSFET系列器件增添了工业类型封装选择

对于需要提升系统效率并最大限度减少元件数目的高效AC-DC转换器等应用的设计人员来说,构建一个具备快速开关特性、更高效率和功率密度的现代电源系统是一项非常重要的指标。 为了帮助设计人 ...
2011年06月02日 14:38   |  
Fairchild   FDB082N15A   FDP036N10A   FDP083N15A_F102   工业类型封装  

英飞凌在PCIM Europe 2011展会上展出的电源管理产品和解决方案一览

在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(5月17日至19日)上,英飞凌科技展出了一系列创新产品和解决方案。这些产品和解决方案可确保大幅降低电子设备和机器的能耗。 国际能源机构(IEA)预 ...
2011年06月02日 09:53   |  
电源管理   英飞凌  

英飞凌节能芯片以高于国际标准的出色性能帮助全球降低能耗

在德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2011展会(5月17日至19日)上,英飞凌科技展出的一系列创新产品和解决方案生动地诠释了大会的宣传口号“高能效之道(Energy – the efficient way)”。这些产品 ...
2011年06月01日 10:24   |  
节能芯片   英飞凌  

英飞凌新推两款600V逆导型IGBT 效率可达96%

英飞凌科技600V逆导型(RC)IGBT家族的两名新成员闪亮登场。这两款新的功率开关器件可在目标应用中实现最高达96%的能效。利用这些全新推出的RC-D快速IGBT,可以设计更高能效的电机驱动家用电器 ...
2011年05月30日 16:08   |  
IGBT   逆导型  

恩智浦NextPower MOSFET以行业最低RDS(on)全面提升效率

恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. (NASDAQ:NXPI) 今日宣布,其采用LFPAK封装的NextPower系列25V和30V MOSFET将有15款新产品开始供货。这些恩智浦功率MOSFET家族的最新成员在六个关键参数方 ...
2011年05月27日 18:32   |  
MOSFET   RDS   恩智浦  

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