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模块供电ic DC-DC 80v60V48V36V30V24V降压12V5V3.3V0.5A 同步降压恒压芯片-H6601

模块供电ic DC-DC 80v60V48V36V30V24V降压12V5V3.3V0.5A 同步降压恒压芯片-H6601

H6601:高效稳定的内置功率MOSFET降压开关转换器‌H6601是一款为宽输入电压范围设计的内置功率MOSFET降压开关转换器。该芯片在4.5V至60V的宽输入电压范围内,能够持续输出0.5A的电流,表现 ...
2024年11月21日 19:15   |  
模块供电ic   DC-DC  
H62410A 高耐压 100V降压恒压芯片 24V降压5V 12V降压5V 60v降压3.3V1A仪表 模块供电ic

H62410A 高耐压 100V降压恒压芯片 24V降压5V 12V降压5V 60v降压3.3V1A仪表 模块供电ic

‌H62410A:高效稳定的高压降压恒压芯片‌H62410A是一款为高压环境设计的高效降压恒压芯片。其内置100V耐压MOS,支持高达90V的宽压输入范围,使得该芯片能够在多种复杂电源环境中稳定 ...
2024年11月20日 18:34   |  
H62410A   高耐压   100V降压恒压芯片   24V降压5V   12V降压5V  
恒流电源 50N06 MOS场效应管-HC015N06L 30V40V50V60V50A TO-252封装 高性价比

恒流电源 50N06 MOS场效应管-HC015N06L 30V40V50V60V50A TO-252封装 高性价比

50N06 MOS场效应管-HC015N06L具有高性价比,适用于多种电路‌· ‌主要特性‌:N沟道,5V逻辑电平控制,增强模式,低导通电阻RDS(on),VitoMOS®技术,100%雪崩测试,无铅镀 ...
2024年11月19日 18:28   |  
恒流电源   50N06   30V40V50V60V50A   TO-252封装   高性价比  

可控硅调光原理及方案

可控硅、MOSFET、调光
2024年11月19日 17:07   |  
可控硅、MOSFET、调光  
5v升压12v芯片 3.3V 3.7升12v/2.5A大电流升压芯片 风扇驱动升压芯片H6391 低功耗

5v升压12v芯片 3.3V 3.7升12v/2.5A大电流升压芯片 风扇驱动升压芯片H6391 低功耗

H6391:高效低功耗的升压DC-DC转换器,便携式电源管理芯片IC‌在追求轻薄、高效的便携式设备时代,电源管理技术的革新显得尤为重要。今天,我们要为大家介绍一款为现代电子设备定制的高效 ...
2024年11月18日 11:45   |  
5v升压12v芯片   3.3V   低功耗  

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2024年11月15日 10:02
60V降压12V 0.3A 稳压芯片 48V30V36V24V降压5V3.3V 0.3A 模块供电电源芯片-H6246

60V降压12V 0.3A 稳压芯片 48V30V36V24V降压5V3.3V 0.3A 模块供电电源芯片-H6246

产品描述详细解析:‌H6246稳压芯片‌ 是一款为高压输入、低压输出需求设计的电源管理芯片,其特性与优势如下:‌内置高压MOS‌:芯片内置了能够承受高达60V电压的MOS管, ...
2024年11月13日 18:26   |  
60V降压12V   0.3A   稳压芯片  

高压 大电流 LDO

谢谢关注
2024年11月10日 17:46

80V耐压0.5A -H6601 降压恒压 48V 降12V 60V降5V 24V转3.3V 恒压电源芯片 纹波小 动态负载好

产品描述详解:‌H6601 降压恒压电源芯片‌‌概述‌:H6601 是一款高性能的内置功率 MOSFET 的降压开关转换器。它设计用于在宽输入电压范围内提供稳定的输出电压,同时持续 ...
2024年11月08日 14:47   |  
80V耐压0.5A   -H6601   降压恒压   48V   降12V  

FP7209单节锂电升压恒流80V支持PWM控制调光调色应急电源驱动方案

FP7209是针对LED驱动器的升压拓扑开关调节器。它提供了内置的门驱动销,用于驱动外部N-MOSFET。误差放大器的非反相输入端连接到一个0.25V的参考电压。如UVP、OVP、OCP等,保护系统电路有三 ...
2024年11月08日 10:28
120V04无刷电机N沟道MOS管-HCE40N11L 40V120A 大电流 低内阻 抗雪崩能力强 反向续流 一致性好

120V04无刷电机N沟道MOS管-HCE40N11L 40V120A 大电流 低内阻 抗雪崩能力强 反向续流 一致性好

1. 产品概述‌HCE40N11L‌ 是一款N沟道MOS管,为高电流、低内阻应用设计,具有40V的电压承受能力和120A的电流处理能力。其特点包括低栅极电荷、100% UIS测试和100% DVDS测试,确保了 ...
2024年11月07日 11:47   |  
40V120A   大电流   低内阻   抗雪崩能力强   反向续流  
120V04无刷电机N沟道MOS管-HCE40N11L 40V120A 大电流 低内阻 抗雪崩能力强 反向续流 一致性好

120V04无刷电机N沟道MOS管-HCE40N11L 40V120A 大电流 低内阻 抗雪崩能力强 反向续流 一致性好

1. 产品概述‌HCE40N11L‌ 是一款N沟道MOS管,为高电流、低内阻应用设计,具有40V的电压承受能力和120A的电流处理能力。其特点包括低栅极电荷、100% UIS测试和100% DVDS测试,确保了 ...
2024年11月07日 11:43   |  
40V120A   大电流   低内阻   抗雪崩能力强   反向续流  

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