Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列

发布时间：2012-10-22 13:58 发布者：eechina

新的E系列器件具有低至39mΩ的导通电阻和7A～73A电流，采用的超级结技术可实现低FOM和高功率密度，具有8种封装

Vishay宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件，将该系列MOSFET在10V下的导通电阻扩展到39mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩展至7A～73A。新的E系列MOSFET采用Vishay的下一代超级结技术，使公司进入使用功率转换技术的增量市场，包括照明、适配器和高功率可再生能源系统。

今天发布的器件使600V E系列MOSFET的器件数量增加到27个。所有的E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷，可实现极低的传导损耗和开关损耗，从而在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源(UPS)、电池充电器、LED照明、半导体生产设备、适配器和太阳能电池逆变器等高功率、高性能的开关应用中节约能源。

器件可承受雪崩和通信模式中的高能脉冲，保证通过100% UIS测试时达到极限条件。MOSFET符合RoHS指令。

器件规格表：

型号	VBRDSS (V)	ID @ 25 oC (A)	RDS(ON) max. @ Vgs = 10 V (mΩ)	Qg typ @ Vgs = 10V (nC)	封装
SiHP7N60E	600	7	600	20	TO-220
SiHF7N60E	600	7	600	20	TO-220 FullPAK
SiHD7N60E	600	7	600	20	DPAK/TO-252
SiHU7N60E	600	7	600	20	IPAK/TO-251
SiHP12N60E	600	12	380	29	TO-220
SiHF12N60E	600	12	380	29	TO-220 FullPAK
SiHB12N60E	600	12	380	29	D2PAK/TO-263
SiHP15N60E	600	15	280	38	TO-220
SiHF15N60E	600	15	280	38	TO-220 FullPAK
SiHB15N60E	600	15	280	38	D2PAK/TO-263
SiHP22N60E	600	22	180	57	TO-220
SiHB22N60E	600	22	180	57	D2PAK/TO-263
SiHF22N60E	600	22	180	57	TO-220 FullPAK
SiHG22N60E	600	22	180	57	TO-247AC
SiHP30N60E	600	30	125	85	TO-220
SiHB30N60E	600	30	125	85	D2PAK/TO-263
SiHF30N60E	600	30	125	85	TO-220 FullPAK
SiHG30N60E	600	30	125	85	TO-247AC
SiHW30N60E	600	30	125	85	TO-247AD
SiHB33N60E	600	33	99	100	D2PAK/TO-263
SiHP33N60E	600	33	99	100	TO-220
SiHG33N60E	600	33	99	100	TO-247AC
SiHW33N60E	600	33	99	100	TO-247AD
SiHG47N60E	600	47	99	147	TO-247AC
SiHW47N60E	600	47	64	147	TO-247AD
SiHG73N60E	600	73	64	241	TO-247AC
SiHW73N60E	600	73	39	241	TO-247AD

Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列

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